N 通道 1200 V 97 A (Tc) 382W (Tc) 通孔式 PG-TO247-4-17
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N 通道 1200 V 97 A (Tc) 382W (Tc) 通孔式 PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R017M2HXKSA1

DigiKey 零件編號
448-IMZC120R017M2HXKSA1-ND
製造商
製造商零件編號
IMZC120R017M2HXKSA1
說明
SICFET N-CH 1200V 97A TO247
製造商的標準前置時間
69 週
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 1200 V 97 A (Tc) 382W (Tc) 通孔式 PG-TO247-4-17
規格書
 規格書
EDA/CAD 模型
IMZC120R017M2HXKSA1 型號
產品屬性
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類別
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
17mOhm @ 40A、18V
製造商
Vgs(th) (最大值) @ Id
5.1V @ 12.7mA
系列
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
89 nC @ 18 V
包裝
管裝
Vgs (最大值)
+23V、-7V
零件狀態
有源
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2910 pF @ 800 V
FET 類型
功率耗散 (最大值)
382W (Tc)
技術
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss)
1200 V
安裝類型
通孔式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
供應商元件封裝
PG-TO247-4-17
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
15V、18V
封裝/外殼
環境和出口規範分類
產品問答
其他資源
現貨: 739
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皆以 HKD 計價
管裝
數量 單價 總價
1$165.25000$165.25
30$103.28400$3,098.52
120$89.71850$10,766.22
510$85.75122$43,733.12
製造商標準包裝
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