Name: SIDR5802EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND
Price: 22.31 HKD
Availability: InStock

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SIDR5802EP-T1-RE3
DigiKey 零件編號	742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 742-SIDR5802EP-T1-RE3CT-ND - 切帶裝 (CT) 742-SIDR5802EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SIDR5802EP-T1-RE3
說明	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
製造商的標準前置時間	28 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 80 V 34.2A (Ta)、153A (Tc) 7.5W (Ta)、150W (Tc) 表面黏著式 PowerPAK® SO-8DC
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SIDR5802EP-T1-RE3 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET® Gen V
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	80 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	34.2A (Ta)、153A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	7.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	2.9mOhm @ 20A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	3020 pF @ 40 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	7.5W (Ta)、150W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PowerPAK® SO-8DC
封裝／外殼	PowerPAK® SO-8
基礎產品編號	SIDR5802