Name: IPB60R080P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R080P7ATMA1TR-ND
Price: 40.25 HKD
Availability: InStock

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

IPB60R080P7ATMA1
DigiKey 零件編號	IPB60R080P7ATMA1TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) IPB60R080P7ATMA1CT-ND - 切帶裝 (CT) IPB60R080P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Infineon Technologies
製造商零件編號	IPB60R080P7ATMA1
說明	MOSFET N-CH 600V 37A D2PAK
製造商的標準前置時間	17 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 600 V 37 A (Tc) 129W (Tc) 表面黏著式 PG-TO263-3
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	IPB60R080P7ATMA1 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Infineon Technologies
系列	CoolMOS™ P7
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	600 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	37 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	80mOhm @ 11.8A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4V @ 590µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	51 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	2180 pF @ 400 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	129W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PG-TO263-3
封裝／外殼	TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
基礎產品編號	IPB60R080