SISD5300DN N 通道型 30 V MOSFET

Vishay 的多功能 30 V N 通道型 TrenchFET® Gen V 功率 MOSFET 的特點為源極翻轉技術，採用 3.3 mm 乘 3.3 mm PowerPAK® 1212-F 封裝。SiSD5300DN 與 PowerPAK 1212-8S 佔用相同的覆蓋區，導通電阻降低了 18%，提高了功率密度，同時其源極翻轉技術將熱阻降低了 +63°C/W 至 +56°C/W。而且，這款 MOSFET 的 FOM 比前一代元件提高 35%，這表示傳導和切換損耗更低，可節省功率轉換應用中的能源。

PowerPAK1212-F 源極翻轉技術顛倒了接地墊片和源極墊片通常的比例，擴大了接地墊片的面積以提供更有效的散熱路徑，促進溫度更低的運作狀態。同時，PowerPAK 1212-F 將切換區域的範圍降至最小，有助於減少走線雜訊的影響。具體來說，在 PowerPAK 1212-F 封裝中，源極墊片尺寸增加了 10 倍，從 0.36 mm 增加到 4.13 mm，在熱效能方面實現了相應的改善幅度。PowerPAK1212-F 的中央閘極設計也簡化了單層 PCB 上多個元件的平行化。