SiR638DP N 通道 40 V MOSFET

Vishay 的 SiR638DP、N 通道、40 V MOSFET,具有高電流和低 RDS(ON)

Vishay 的 SiR638DP N 通道 40 V MOSFETVishay 的 SiR638DP 提供同級最佳的 RDS(ON) 和輸出電容量 (Coss),能降低系統功率損耗。 此元件具有耐用的 PowerPAK SO-8 封裝,額定電流為 100 ADC。 此 PowerPAK SO-8 封裝採用與標準 SO-8 封裝相同的覆蓋區和引腳配置。 這能讓 PowerPAK 直接替代標準 SO-8 封裝。 PowerPAK SO-8 屬於無引線封裝,運用整個 SO-8 覆蓋區,釋放引腳所佔用的空間,因此能比標準 SO-8 封裝容納更大的晶粒。

特點
  • TrenchFET Gen IV 功率 MOSFET
  • 100% 通過 Rg 和 UIS 測試
  • Qgd/Qgs 比大於 1,能達到最佳切換特性
應用
  • 同步整流
  • O 型環
  • 高功率密度 DC/DC
  • VRMS 和嵌入式 DC/DC
  • DC/AC 逆變器
  • 負載開關

SiR638DP N-Channel 40 V MOSFET

圖片製造商零件編號說明汲極至源極電壓 (Vdss)現有數量價格查看詳情
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8SIR638DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-840 V6255 - 即時供貨$13.17查看詳情
發佈日期: 2016-10-10