可雙面冷卻的中電壓 TrenchFET® 功率 MOSFET

Vishay Siliconix 的功率 MOSFET 具有優異的動態參數,可最佳化開關特性

Image of Vishay Siliconix's Medium Voltage TrenchFET® Power MOSFETs with Dual-Sided CoolingVishay Siliconix 的中電壓 TrenchFET 功率 MOSFET 可實現最高效率、增加功率密度並減少元件數量。本產品是緊密且高效率的元件,可實現佈局最佳化。這些 MOSFET 具有優異的動態參數,可最佳化開關特性。TrenchFET 功率 MOSFET 採用雙冷卻 (雙面冷卻功能) PowerPAK® SO-8 封裝,典型高度為 0.56 mm,相當緊密、薄型,與 D2PAK 相比,覆蓋區縮小 80%。覆蓋區與 PowerPAK SO-8 相容。

特點
  • 次世代技術可提供極低的導通電阻和超低關鍵效能指數 (FOM)
  • Qgd/Qgs 比率小於 1,可提高對 C*dv/dt 閘極耦合的耐受性
  • 極低 Qgd 米勒電荷,可降低透過平穩電壓充電產生的功率損耗
    • 減少開關相關的功率損耗和米勒時間
  • 部分產品具有邏輯位準和標準閘極驅動能力
    • 藉由啟用較低的閘極驅動,可以降低損耗
    • 可使用低電壓、低成本 5 V PWM IC
    • 低 FOM 有助於減少開關損耗
  • 多種封裝,包括 TO 封裝和熱效能先進、節省空間的 PowerPAK
  • 採用 TO 封裝的元件最高結溫額定值為 +175°C
應用
  • 同步整流
    • AC/DC 電源供應器
      • 運算
      • 消費性
      • 伺服器
      • 電信設備
    • LLC 拓撲
      • ATX 伺服器
      • LED 電視電源
    • 通訊磚和 POL
  • 馬達控制/三相全橋 AC 逆變器
    • 太陽能微型逆變器
    • 電動汽車電池充電站
    • OR 功能
      • 備援電源架構
  • 升壓轉換器

Medium Voltage TrenchFET® Power MOSFETs with Dual-Sided Cooling

圖片製造商零件編號說明現有數量價格查看詳情
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發佈日期: 2019-11-26