可雙面冷卻的中電壓 TrenchFET® 功率 MOSFET
Vishay Siliconix 的功率 MOSFET 具有優異的動態參數,可最佳化開關特性
Vishay Siliconix 的中電壓 TrenchFET 功率 MOSFET 可實現最高效率、增加功率密度並減少元件數量。本產品是緊密且高效率的元件,可實現佈局最佳化。這些 MOSFET 具有優異的動態參數,可最佳化開關特性。TrenchFET 功率 MOSFET 採用雙冷卻 (雙面冷卻功能) PowerPAK® SO-8 封裝,典型高度為 0.56 mm,相當緊密、薄型,與 D2PAK 相比,覆蓋區縮小 80%。覆蓋區與 PowerPAK SO-8 相容。
- 次世代技術可提供極低的導通電阻和超低關鍵效能指數 (FOM)
- Qgd/Qgs 比率小於 1,可提高對 C*dv/dt 閘極耦合的耐受性
- 極低 Qgd 米勒電荷,可降低透過平穩電壓充電產生的功率損耗
- 減少開關相關的功率損耗和米勒時間
- 部分產品具有邏輯位準和標準閘極驅動能力
- 藉由啟用較低的閘極驅動,可以降低損耗
- 可使用低電壓、低成本 5 V PWM IC
- 低 FOM 有助於減少開關損耗
- 多種封裝,包括 TO 封裝和熱效能先進、節省空間的 PowerPAK
- 採用 TO 封裝的元件最高結溫額定值為 +175°C
- 同步整流
- AC/DC 電源供應器
- 運算
- 消費性
- 伺服器
- 電信設備
- LLC 拓撲
- ATX 伺服器
- LED 電視電源
- 通訊磚和 POL
- AC/DC 電源供應器
- 馬達控制/三相全橋 AC 逆變器
- 太陽能微型逆變器
- 電動汽車電池充電站
- OR 功能
- 備援電源架構
- 升壓轉換器
Medium Voltage TrenchFET® Power MOSFETs with Dual-Sided Cooling
圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
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![]() | ![]() | SIR638DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8 | 6255 - 即時供貨 | $13.17 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | SIJ438DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8 | 13804 - 即時供貨 | $15.72 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | SUP40010EL-GE3 | MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB | 71 - 即時供貨 | $29.80 | 查看詳情 |
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![]() | ![]() | SIRA52DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | 0 - 即時供貨 | $15.89 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | SIJA54DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | 6317 - 即時供貨 | $11.11 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | SIRA54DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | 5870 - 即時供貨 | $8.15 | 查看詳情 |
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![]() | ![]() | SUP70040E-GE3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB | 99 - 即時供貨 | $29.31 | 查看詳情 |
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![]() | ![]() | SUP70060E-GE3 | MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB | 337 - 即時供貨 | $19.84 | 查看詳情 |