Vishay / Siliconix

MaxSiC™ MOSFET

Vishay 這款 MOSFET 為高功率應用提供更高的效能和卓越的效率

Vishay Siliconix MaxSiC™ MOSFET 的圖片Vishay MaxSiCTM 碳化矽 (SiC) MOSFET 採用自行研發的技術，在導通電阻和切換效能之間作出具有效率的取捨組合，同時提供一款穩健的元件，具有小的寄生電容、更好的短路耐受時間 (SCWT)、更强大的擊穿耐受性和有競爭力的閘極氧化物電場。

這些 SiC MOSFET 提供具有競爭力的效能指數，可滿足工業馬達驅動逆變器、光電 (PV) 能量轉換和儲存系統、車載充電器、充電站、伺服器 (資料中心) 和不斷電系統 (UPS) 等不斷增長的應用之市場需求。

特點
  • 快的切換速度
  • 3 μs 短路耐受時間
  • 1,200 V 汲源極電壓
  • 139 W 最大功耗 (TC=+25°C)
  • 29 A 連續汲極電流 (TC=+25°C)
  • -55°C 至 +150°C 接面工作溫度範圍
  • 無鉛、無鹵素
  • 採用 TO-247 3L 封裝
  • 符合 RoHS 指令
應用
  • 充電器
  • 輔助馬達驅動
  • DC/DC 轉換器

MaxSiC MOSFETs

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發佈日期： 2024-09-03

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