MXP120A250FW-GE3 Vishay Siliconix | 單一 FET、MOSFET

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET	Rds On (最大值) @ Id、Vgs 313mOhm @ 4A、20V
製造商 Vishay Siliconix	Vgs(th) (最大值) @ Id 3.1V @ 10mA
系列 MaxSiC™	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 20.3 nC @ 18 V
包裝管裝	Vgs (最大值) +22V、-10V
零件狀態停產	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 447 pF @ 800 V
FET 類型 N 通道	功率耗散 (最大值) 56W (Tc)
技術 SiCFET (碳化矽)	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss) 1200 V	安裝類型通孔式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 10.5 A (Tc)	供應商元件封裝 TO-247-3L
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 18V、20V	封裝／外殼 TO-247-3

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