VS-SF50xA120/VS-SFxx0SA120 電源模組

Vishay Semiconductor Diodes 這款電源模組採用 SiC 技術設計,用來提高現有中高頻設計的電源效率

Vishay Semi Diodes 1,200 V SiC MOSFET 電源模組的圖片Vishay Semiconductor Diodes VS-SF50xA120 和 VS-SFxx0SA120 電源模組是設計用來提高中高頻應用的電源效率。它們提供單開關和低側截波配置。每個電源模組都整合一個 SiC MOSFET 和一個軟體二極體,可提供低的逆向回復電流。結果就是更低的切換損耗和更高的效率。小巧的 SOT-227 封裝使它們能夠作為現有設計中競爭解決方案的直接替代品,使設計人員能夠採用 SiC 技術但無需更改 PCB 佈局。壓模式封裝還能提供高達 2,500 V 的電氣性絕緣,持續一分鐘,因此無需在組件和散熱片之間添加額外的絕緣層,可降低成本。

特點
  • 業界標準 SOT-227 封裝
  • 提供單開關和低側截波配置
  • 整合了
    • SiC MOSFET
    • 具有低逆向回復電流的軟體二極體
  • 電氣性絕緣,可承受高達 2,500 V 電壓一分鐘。
 
  • 連續汲極電流大小從 50 A 至 200 A
  • 低的導通電阻可低至 12.1 mΩ
  • 低電容量的高速切換能力
  • 最高接面工作溫度為 +175°C
  • 符合 RoHS 指令
應用
  • 太陽能逆變器
  • 電動汽車板外充電器
  • SMPS
  • DC/DC 轉換器
 
  • UPS
  • 暖通空調系統
  • 大型電池儲能系統
  • 電信用電源供應器

VS-SF50xA120 and VS-SFxx0SA120 Power Modules

圖片製造商零件編號說明現有數量價格查看詳情
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發佈日期: 2026-01-29