第三代 1,200 V SiC 肖特基二極體
Vishay 的二極體提高了切換電源設計的效率和可靠性
Vishay 的 16 第三代 1,200 V 碳化矽 (SiC) 肖特基二極體採用合併式 PIN 肖特基 (MPS) 設計。它們亦結合高突波電流穩健性、低順向壓降、電容式電荷、逆向漏電流,以提高切換式電源設計的效率和可靠性。此二極體的 MPS 結構具有透過雷射退火技術削薄的背面,可降低其順向壓降。此元件的低典型逆向漏電流可降低導通損耗,確保輕負載和空轉期間的高系統效率。為了進一步提高效率,不同於超快速二極體的是,第三代二極體幾乎沒有恢復尾段。
這些二極體在 FBPS、LLC 轉換器中提供 AC/DC PFC 和 DC/DC 超高頻輸出整流,適用於太陽能逆變器、儲能系統、工業驅動器和工具、資料中心等應用。
- 增強穩健性:
- 工作溫度高達 +175°C
- 順向突波額定值高達 260 A
- 具有大於或等於 600 的高 CTI 成型膠料,確保在高電壓下提供出色的電氣絕緣性 (D2PAK 2L 封裝)
- 提高可靠性:
- 通過 2,000 小時的高溫逆向偏壓 (HTRB) 測試、2,000 次熱循環的溫度循環測試
- 可提供 5 A 至 40 A 的順向電流
- 採用 TO-220AC 2L、TO-247AD 2L、TO-247AD 3L 通孔、D2PAK 2L (TO-263AB 2L) 表面黏著式封裝
- 提高效率:
- 低順向壓降:低至 1.35 V
- 低電容量電荷:低至 28 nC
- 低典型逆向漏電流:+25°C 時低至 0.3 µA
Gen 3 1,200 V SiC Schottky Diodes
圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 電壓 - 順向 (Vf) (最大值) @ If | 電流 - 平均整流 (Io) | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
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![]() | ![]() | VS-3C05ET12T-M3 | DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC | 1.5 V @ 5 A | 5A | 819 - 即時供貨 | $40.67 | 查看詳情 |
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