第三代 1,200 V SiC 肖特基二極體

Vishay 的二極體提高了切換電源設計的效率和可靠性

Vishay 第三代 1,200 V SiC 肖特基二極體的圖片Vishay 的 16 第三代 1,200 V 碳化矽 (SiC) 肖特基二極體採用合併式 PIN 肖特基 (MPS) 設計。它們亦結合高突波電流穩健性、低順向壓降、電容式電荷、逆向漏電流,以提高切換式電源設計的效率和可靠性。此二極體的 MPS 結構具有透過雷射退火技術削薄的背面,可降低其順向壓降。此元件的低典型逆向漏電流可降低導通損耗,確保輕負載和空轉期間的高系統效率。為了進一步提高效率,不同於超快速二極體的是,第三代二極體幾乎沒有恢復尾段。

這些二極體在 FBPS、LLC 轉換器中提供 AC/DC PFC 和 DC/DC 超高頻輸出整流,適用於太陽能逆變器、儲能系統、工業驅動器和工具、資料中心等應用。

特點
  • 增強穩健性:
    • 工作溫度高達 +175°C
    • 順向突波額定值高達 260 A
    • 具有大於或等於 600 的高 CTI 成型膠料,確保在高電壓下提供出色的電氣絕緣性 (D2PAK 2L 封裝)
  • 提高可靠性:
    • 通過 2,000 小時的高溫逆向偏壓 (HTRB) 測試、2,000 次熱循環的溫度循環測試
  • 可提供 5 A 至 40 A 的順向電流
  • 採用 TO-220AC 2L、TO-247AD 2L、TO-247AD 3L 通孔、D2PAK 2L (TO-263AB 2L) 表面黏著式封裝
  • 提高效率:
    • 低順向壓降:低至 1.35 V
    • 低電容量電荷:低至 28 nC
    • 低典型逆向漏電流:+25°C 時低至 0.3 µA

Gen 3 1,200 V SiC Schottky Diodes

圖片製造商零件編號說明電壓 - 順向 (Vf) (最大值) @ If電流 - 平均整流 (Io)現有數量價格查看詳情
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發佈日期: 2024-06-27