Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

80 V UMOS-X 功率 MOSFET

Toshiba 的 MOSFET 降低了切換式電源和馬達控制設備的導通損耗

Toshiba 的 UMOS-X 80V 功率 MOSFET 的圖片Toshiba 的 80 V MOSFET 以 UMOS-X 溝槽結構提供出色的 RDS(ON)。這種低電壓製程有助於降低導通損耗，總體上可幫助降低裝置的功耗。這種製程還繼承了上一代的優點，例如低的閘極切換電荷。這些 80 V MOSFET 提供低的效能指數，特色為導通電阻和閘極電荷之間的權衡。

這些元件適用於工業設備上的切換式電源供應器，包括高效率的 AC/DC 和 DC/DC 轉換器。其他應用包括驅動馬達控制設備。當前的封裝選項包括通孔式 TO-220 和隔離式 TO-220SIS，以及表面黏著式 DPAK。

特點

  • 低導通電阻：RDS(ON) = 2.44 mΩ (最大值)，VGS = 10 V (TK2R4E08QM)
  • 低電荷 (輸出和閘極切換)
  • 低閘極電壓驅動 (6 V 驅動)

應用

  • 工業設備用切換式電源供應器 (高效率的 AC/DC 轉換器、高效率的 DC/DC 轉換器等)
  • 馬達控制設備 (如馬達驅動器)

80 V UMOS-X Power MOSFETs

圖片製造商零件編號說明驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)Vgs(th) (最大值) @ Id閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs現有數量價格查看詳情
UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHMTK2R4E08QM,S1XUMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM6V、10V3.5V @ 2.2mA178 nC @ 10 V0 - 即時供貨$17.17查看詳情
UMOS10 TO-220AB 80V 7MOHMTK7R0E08QM,S1XUMOS10 TO-220AB 80V 7MOHM6V、10V3.5V @ 500µA39 nC @ 10 V108 - 即時供貨$17.57查看詳情
UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHMTK3R2A08QM,S4XUMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM6V、10V3.5V @ 1.3mA102 nC @ 10 V0 - 即時供貨$27.75查看詳情
UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHMTK5R1A08QM,S4XUMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM6V、10V3.5V @ 700µA54 nC @ 10 V12 - 即時供貨$18.06查看詳情
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發佈日期： 2021-08-04