Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

UMOS 11 低電壓 MOSFET

Toshiba UMOS11 低電壓 MOSFET 提供高效率切換、更低的損耗、更智慧的設計

Toshiba UMOS11 低電壓 MOSFET 的圖片Toshiba 低電壓 UMOS-11 製程旨在協助工程師滿足對電源效率、緊湊設計、可靠切換效能日益增長的需求。

UMOS 11 採用改良式溝槽結構，可實現更低的 RDS(on)、降低 Qoss 與 QRR，並具備更佳的整體切換行為，適用於從 DC/DC 轉換器、馬達驅動器到伺服器電源供應器及其他切換式電源供應器等各類應用。

此製程將涵蓋多種電壓與封裝，從 40 V 到 100 V，提供 5 mm x 6 mm 與 3 mm x 3 mm 封裝選項。

特點
  • 此系列產品的最低導通電阻為 0.52 mΩ (最大值)(VGS=10 V)
  • 低 RDS(ON) x QOSS、低 RDS(ON) x QRR
  • 切換式電源供應器的高效率
  • 嚴謹的閾值電壓，確保可靠運作
  • 內建高速二極體，可改善逆向恢復損耗
  • 可在高達 +175°C 的高溫下運作
應用
  • DC/DC 轉換器
  • 切換式電源供應器 (資料中心伺服器、通訊設備等)
  • 馬達控制
  • 負載開關
資源

Toshiba UMOS11 低電壓 MOSFET 的圖片

UMOS 11 Low Voltage MOSFETs

圖片製造商零件編號說明現有數量價格查看詳情
N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1TPH2R70AR5,LQN-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@19965 - 即時供貨$12.73查看詳情
發佈日期： 2025-09-26