LMG5200 80 V、GaN 半橋功率級

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            LMG5200 80 V、GaN 半橋功率級
  
                    Texas Instruments 推出 LMG5200 半橋 GaN 功率級，具有高度整合式的高側和低側閘極驅動器

Texas Instruments 的 LMG5200 80 V GaN 半橋功率級圖片 Texas Instruments 的 LMG5200 元件是 80 V、10 A 驅動器加上 GaN 半橋功率級，提供整合式功率級的解決方案，採用增強模式氮化鎵 (GaN) FET。此元件含有兩個 80 V 的 GaN FET 驅動，由一個採用半橋配置的高頻 GaN FET 驅動器所驅動。

GaN FET 在電源轉換上提供更顯著的優勢，此系列具有接近零逆向復原和超小輸入電容量 C_ISS。所有元件均可安裝在完全無接合線封裝平台上，具有最小的封裝寄生元素。LMG5200 元件採用 6 mm x 8 mm x 2 mm 無鉛封裝，並可輕鬆安裝在 PCB 上。

TTL 邏輯相容輸入可高達 12 V 的輸入電壓，不受 V_CC 電壓的影響。此自行研發的自舉電壓箝位技術可確保增強模式 GaN FET 的閘極電壓在安全的工作範圍內。

此元件擴充離散 GaN FET 的優勢，提供更容易使用的介面。此元件是理想的解決方案，適合需要在小尺寸的高頻率、高效率操作的應用。若搭配 TPS53632G 控制器使用，LMG5200 能直接轉換 48 V 到負載點電壓 (0.5 V 至 1.5 V)。

資源

判定 GaN 產品可靠性的綜合方法論

GaN 是否有本體二極體瞭解 GaN 的第三象限操作

設計 GaN 功率級的散熱考量

特點

整合式 15 mΩ GaN FET 和驅動器
80 V 連續、100 V 脈衝電壓額定值
封裝最佳化，可達到輕鬆的 PCB 佈局，因此無需底層填充、沿面距離，以及間隙要求
超低的共源電感值，可確保達到高迴轉率切換，而不會在硬切換拓撲中造成過度振鈴
適用於隔離式與非隔離式應用
閘極驅動器能達到高至 10 MHz 的切換
內部自舉電源電壓箝位，可預防 GaN FET 過驅動
電源軌欠壓鎖定防護
極佳傳播延遲 (29.5 ns 典型值) 和匹配 (2 ns 典型值)
低功耗

應用

Wide V_IN 多 MHz 同步降壓轉換器
Class D 音訊放大器
高功率密度單和三相馬達驅動器
48 V 的負載點 (POL) 轉換器，適用於電信、工業與企業運算

LMG5200 80 V GaN Half-Bridge Power Stage

	圖片	製造商零件編號	說明	現有數量	價格	查看詳情
		LMG5200MOFT	IC HALF BRIDGE DRIVER 10A 9QFN	698 - 即時供貨	$139.78	查看詳情
		LMG5200MOFR	IC HALF BRIDGE DRIVER 10A 9QFN	1620 - 即時供貨	$118.38	查看詳情

Evaluation Board

	圖片	製造商零件編號	說明	功能	嵌入式	現有數量	價格	查看詳情
		LMG5200EVM-02	EVAL BOARD FOR LMG5200	半橋驅動器 (內部 FET)	-	6 - 即時供貨	$1,965.80	查看詳情

Evaluation Expansion Board

	圖片	製造商零件編號	說明	類型	功能	使用的 IC／零件	現有數量	價格	查看詳情
		BOOSTXL-3PHGANINV	48V 10A GAN INVERTER BOOSTERPACK	電源管理	馬達控制器／驅動器	LMG5200	42 - 即時供貨	$484.04	查看詳情

發佈日期： 2017-06-20

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