STMicroelectronics

STPOWER SiC MOSFET

STMicroelectronics 最先進的 MOSFET 封裝是專為汽車和工業應用而設計

STMicroelectronics STPOWER SiC MOSFET 的圖片 (按此放大)STMicroelectronics 的 STPOWER SiC MOSFET 將寬能隙材料的先進效率和可靠性運用至更廣泛的節能應用中，例如電動車／混合動力車逆變器、太陽能或風力發電、高效率驅動器、電源供應器和智慧電網設備。這些 MOSFET 具有 650 V 至 1700 V 的更大電壓範圍，提供出色的切換效能及非常低的單位面積效能指數導通電阻 RDS(ON)。ST SiC MOSFET 可設計出比以往更高效率、更小巧的系統。ST 的 1200 V SiC MOSFET 具有出色的 +200°C 額定溫度，可改善電力電子系統的熱設計。相較於矽 MOSFET，碳化矽 MOSFET 具有大幅降低的切換損耗，因溫度產生的變化也微乎其微。

主要特點

  • 符合汽車級 (AG) 標準的元件
  • 非常高的溫度處理能力 (最高TJ = +200°C)
  • 非常低的切換損耗 (因溫度產生的變化微乎其微)，可在極高的切換頻率下工作
  • 溫度範圍內的導通電阻低
  • 容易驅動
  • 超快速且耐用的固有本體二極體已經過實證

Gen 3

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Gen 2

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Gen 1

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更新日期： 2024-11-22
發佈日期： 2015-02-19

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