HB2 系列 650 V IGBT

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            HB2 系列 650 V IGBT
  
                    STMicro 的溝槽式閘極場截止 650 V、40 A、高速 HB2 系列 IGBT 採用 TO-247 長引線封裝

STMicroelectronics 的 IGBT 650 V HB2 系列代表先進的自行研發溝槽式閘極場截止結構的演變。由於更佳的低電流值 V_CE(sat) 行為，HB2 系列的效能在傳導方面得到最佳化，並降低切換能量。僅提供保護用途的二極體與 IGBT 反平行共同封裝。成果就是專為達到最高效率而設計、適用於各種快速應用的產品。

特點

最高結溫：T_J 為 175°C
低 V_CE(sat) 為 1.55 V (典型值)@ I_C 為 40 A
共同封裝的保護二極體
最小化尾電流值

緊密的參數分布
低熱阻
正 V_CE(sat) 溫度係數

HB2 Series 650 V IGBT

	圖片	製造商零件編號	說明	現有數量	價格	查看詳情
		STGWA40HP65FB2	IGBT TRENCH FS 650V 72A TO247	36 - 即時供貨	$41.65	查看詳情
		SCTL35N65G2V	TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV	5869 - 即時供貨	$131.88	查看詳情