STMicroelectronics

功率 MOSFET

STMicroelectronics 推出功率 MOSFET，可支援多種應用的電壓範圍

STMicroelectronics 的功率 MOSFET 圖片STMicroelectronics 的 MOSFET 產品組合提供寬廣的崩潰電壓，介於 -500 V 至 1500 V，並具有低閘極電荷和低導通電阻，並採用先進的封裝。 ST 的高電壓 MOSFET 處理技術 (MDmesh™) 以及低電壓 MOSFET 處理技術 (StripFET™)，能增進電源處理能力，達到高效率解決方案。

豐富的產品組合具有以下主要特點︰
  • 崩潰電壓範圍：-500 V 至 1500 V
  • 超過 30 種封裝選項，包括四引線 TO247-4，具有專用的控制引腳，能提升切換效率，H2PAK 則具有高電流處理能力，以及高 1 mm 的表面黏著式 PowerFLAT™ 5 x 6 HV 和 VHV，具有大型裸露金屬散熱墊，因此能達到優異的散熱效能
  • 提高閘極電荷並降低功率耗散，符合目前最嚴格的效率要求
  • 指定產品系列提供快速的本體二極體選項
  • 多種汽車級 MOSFET 產品組合
 STMicroelectronics 的功率 MOSFET 圖表

無論是那個電壓範圍，ST 皆有適合的 MOSFET 可因應使用者的設計，支援多種應用，例如切換式電源供應器、照明、DC-DC 轉換器、馬達控制以及汽車應用。

查看 STMicroelectronics 的所有功率 MOSFET

發佈日期： 2016-12-30

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