M3S 1200 V 碳化矽 MOSFET

onsemi 的 EliteSiC MOSFET 已提高對意外輸入電壓尖波或振鈴效應的穩健性

onsemi M3S 1200 V 碳化矽 MOSFET 的圖片onsemi 的 1200 V M3S 平面 EliteSiC MOSFET 系列最適合用於快速切換應用。平面技術可在負閘極電壓驅動下可靠地運作,並關閉閘極上的尖波。此系列在使用 18 V 閘極驅動器驅動時具有最佳效能,但也適用於 15 V 閘極驅動器。

特點
  • 具有低共源電感值的 TO247-4LD 封裝
  • 15 V 至 18 V 閘極驅動
  • M3S 技術:22 mΩ RDS(ON) 及低 EON、EOFF 損耗
  • 通過 100% 突崩測試
  • 減少 EON 損耗
  • 18 V 可獲得最佳效能;15 V 與 IGBT 驅動電路相容
  • 提高功率密度
  • 提高對意外輸入電壓尖波或振鈴效應的穩健性
應用
  • AC/DC 轉換
  • DC/AC 轉換
  • DC/DC 轉換
  • UPS
  • 電動車充電器
  • 太陽能逆變器
  • 儲能系統
發佈日期: 2021-10-25