M3S 1200 V 碳化矽 MOSFET
onsemi 的 EliteSiC MOSFET 已提高對意外輸入電壓尖波或振鈴效應的穩健性
onsemi 的 1200 V M3S 平面 EliteSiC MOSFET 系列最適合用於快速切換應用。平面技術可在負閘極電壓驅動下可靠地運作,並關閉閘極上的尖波。此系列在使用 18 V 閘極驅動器驅動時具有最佳效能,但也適用於 15 V 閘極驅動器。
- 具有低共源電感值的 TO247-4LD 封裝
- 15 V 至 18 V 閘極驅動
- M3S 技術:22 mΩ RDS(ON) 及低 EON、EOFF 損耗
- 通過 100% 突崩測試
- 減少 EON 損耗
- 18 V 可獲得最佳效能;15 V 與 IGBT 驅動電路相容
- 提高功率密度
- 提高對意外輸入電壓尖波或振鈴效應的穩健性
- AC/DC 轉換
- DC/AC 轉換
- DC/DC 轉換
- UPS
- 電動車充電器
- 太陽能逆變器
- 儲能系統