設定
快速送達
免運費
國貿條規
付款類型
商城產品
M3S 1200 V 碳化矽 MOSFET
onsemi 的 EliteSiC MOSFET 已提高對意外輸入電壓尖波或振鈴效應的穩健性
onsemi 的 1200 V M3S 平面 EliteSiC MOSFET 系列最適合用於快速切換應用。平面技術可在負閘極電壓驅動下可靠地運作，並關閉閘極上的尖波。此系列在使用 18 V 閘極驅動器驅動時具有最佳效能，但也適用於 15 V 閘極驅動器。
特點
- 具有低共源電感值的 TO247-4LD 封裝
- 15 V 至 18 V 閘極驅動
- M3S 技術：22 mΩ RDS(ON) 及低 EON、EOFF 損耗
- 通過 100% 突崩測試
- 減少 EON 損耗
- 18 V 可獲得最佳效能；15 V 與 IGBT 驅動電路相容
- 提高功率密度
- 提高對意外輸入電壓尖波或振鈴效應的穩健性
應用
- AC/DC 轉換
- DC/AC 轉換
- DC/DC 轉換
- UPS
- 電動車充電器
- 太陽能逆變器
- 儲能系統
M3S SiC MOSFETs
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | NTH4L022N120M3S | SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V | 963 - 即時供貨 | $141.10 | 查看詳情 |
| | NVH4L022N120M3S | SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V | 784 - 即時供貨 | $257.83 | 查看詳情 |
發佈日期： 2021-10-25
中國香港