產品重點 > 能源基礎設施

前瞻性思維推動能源基礎設施發展 - onsemi

onsemi 利用自身在創新技術、可靠、高效、優質的新一代功率半導體方面的數十年經驗，協助您縮短開發時間，同時超越功率密度、符合功率損耗預算。我們致力於讓您和製造團隊懷抱著「自己讓世界變得更美好了」的踏實感，一夜好眠。

電動車充電站
儲能／UPS
太陽能逆變器

EliteSiC MOSFET

650 V EliteSiC MOSFET

碳化矽 (SiC) MOSFET 使用一項全新的技術，比起矽產品，可提供更優異的切換效能與更高的可靠度。此外，更具有低導通電阻和小型晶片尺寸，可確保低的電容量和閘極電荷。因此，系統優勢包括最高的效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系統尺寸。

特點

低的 RDSon
高接面溫度
100% 通過 UIL 測試
符合 RoHS 指令
高速切換和低電容量
600 V 額定
提供 AEC-Q101 版本

應用

DC-DC 轉換器
升壓逆變器
車用 DC/DC
車用 PFC

最終產品

UPS
太陽能
電源供應器
車載充電器
用於 EV/PHEV 的車用 DC/DC 轉換器

650 V EliteSiC MOSFET

製造商零件編號	描述	查看詳情
NTBG015N065SC1	碳化矽 MOSFET，N 通道	查看詳情
NTBG045N065SC1	碳化矽 MOSFET，N 通道	查看詳情
NTH4L015N065SC1	碳化矽 MOSFET，N 通道	查看詳情
NTH4L045N065SC1	碳化矽 MOSFET，N 通道	查看詳情
NTH4L015N065SC1	碳化矽 MOSFET，N 通道	查看詳情

900 V EliteSiC MOSFET

了解詳情

特點

額定電壓 900 V
低導通電阻
小巧的晶片尺寸可確保低的電容量和閘極電荷
高速切換和低電容量
100% 通過 UIL 測試
符合 AEC-Q101 汽車標準

應用

PFC
OBC
升壓逆變器
PV 充電
用於 EV/PHEV 的車用 DC/DC 轉換器
車載充電器
汽車輔助馬達驅動器
網路電源供應器
伺服器電源供應器

900 V EliteSiC MOSFET

製造商零件編號	描述	查看詳情
NTBG020N090SC1	SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK	查看詳情
NTHL020N090SC1	SICFET N-CH 900V 118A TO247-3	查看詳情
NTHL060N090SC1	SICFET N-CH 900V 46A TO247-3	查看詳情
NVBG020N090SC1	SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK	查看詳情
NVHL020N090SC1	SICFET N-CH 900V 118A TO247-3	查看詳情

1200 V EliteSiC MOSFET

1200 V M3S 平面 EliteSiC MOSFET 新系列針對快速切換應用最佳化。平面技術可在負閘極電壓驅動下可靠地運作，並可關閉閘極上的尖波。此系列在使用 18 V 閘極驅動時具有最佳效能，但也適用於 15 V 閘極驅動。

了解詳情

特點

提供 TO-247-3LD、4LD 和 D2PAK7LD 封裝選項
15V 至 18V 閘極驅動
新 M3S 技術：22mohm RDS(ON)，具有低 EON 和 EOFF 損耗
通過 100% 突崩測試

優點

減少 EON 損耗
18 V 可獲得最佳效能；15 V 與 IGBT 驅動電路相容
提高功率密度
提高對意外輸入電壓尖波或振鈴效應的穩健性

應用

AC-DC 轉換
DC-AC 轉換
DC-DC 轉換

最終產品

UPS
電動車充電器
太陽能逆變器
儲能系統

1200 V EliteSiC MOSFET

製造商零件編號	描述	查看詳情
NTBG020N120SC1	SICFET N-CH 1200 V 8.6A/98A D2PAK	查看詳情
NTHL020N120SC1	SICFET N-CH 1200 V 103A TO247-3	查看詳情
NVHL020N120SC1	SICFET N-CH 1200 V 103A TO247-3	查看詳情
NTHL080N120SC1	SICFET N-CH 1200 V 44A TO247-3	查看詳情
NVBG020N120SC1	MOSFET N-CH 1200 V 8.6A/98A D2PAK	查看詳情
NVHL080N120SC1	SICFET N-CH 1200 V 44A TO247-3	查看詳情

EliteSiC 二極體

650 V EliteSiC 二極體

onsemi 的碳化矽 (SiC) 肖特基二極體技術，可提供比矽更出色的切換效能和更高的可靠度。碳化矽無逆向恢復電流，具有不受溫度影響的切換特性、優異的熱效能，因此能用於新一代的功率半導體。系統優點包括高效率、更高的工作頻率、提升功率密度、降低 EMI，並且縮減系統尺寸和成本。

了解詳情

特點

輕鬆進行並聯
高突波電流電容量
最高接面溫度：+175°C
無逆向恢復／無順向恢復
更高的切換頻率
低順向電壓 (VF)
正溫度係數
通過 AEC-Q101 認證並可提供 PPAP 報告

優點

車用 HEV-EV DC/DC 轉換器
車用 HEV-EV 車載充電器
工業電力
PFC
太陽能
UPS
熔接

650 V EliteSiC 二極體

製造商零件編號	描述	查看詳情
FFSB0665B	650V 6A EliteSiC SBD GEN1.5	查看詳情
FFSB0865B	650V 8A EliteSiC SBD GEN1.5	查看詳情
FFSP08120A	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO220-2	查看詳情
FFSD10120A	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2	查看詳情
FFSP15120A	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220-2	查看詳情
FFSH20120A	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2	查看詳情
FFSP3065A	DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO220-2	查看詳情
FFSM0665A	650V 6A EliteSiC SBD	查看詳情
FFSD1065A	650V 10A EliteSiC SBD	查看詳情
FFSB1065B-F085	650V 10A EliteSiC SBD GEN1.5	查看詳情
FFSB2065B-F085	EliteSiC 二極體 650V	查看詳情
FFSM1265A	650V 12A EliteSiC SBD	查看詳情
FFSP08120A	1200 V 8A EliteSiC SBD	查看詳情
FFSD10120A	DIODE SCHOTTKY 1.2KV TO252	查看詳情
FFSD1065B-F085	650V 10A EliteSiC SBD GEN1.5	查看詳情
FFSB3065B-F085	650V 30A EliteSiC SBD GEN1.5	查看詳情
FFSB10120A-F085	1200 V 10A AUTO EliteSiC SBD	查看詳情
FFSB20120A-F085	1200 V 20A AUTO EliteSiC SBD	查看詳情
FFSP05120A	DIODE SCHOTTKY 1.2KV TO220-2	查看詳情
FFSP20120A	DIODE SCHOT 1200V 20A TO220-2L	查看詳情

1200 V EliteSiC 二極體

onsemi 的 1200 V EliteSiC MOSFET 所採用的技術可提供比矽更出色的切換效能和更高的可靠度。低的導通電阻與小巧的晶片尺寸可確保低的電容量與閘極電荷。系統優勢包括高的效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更小的系統尺寸。

了解詳情

特點

額定電壓 1200 V
低導通電阻
小巧的晶片尺寸可確保低的電容量和閘極電荷
高速切換和低電容量
100% 通過 UIL 測試
符合 AEC-Q101 汽車標準

應用

PFC
OBC
升壓逆變器
光電充電器
用於 EV/PHEV 的車用 DC/DC 轉換器
車載充電器
汽車輔助馬達驅動器
太陽能逆變器
網路電源供應器
伺服器電源供應器

1200 V EliteSiC 二極體

製造商零件編號	描述	查看詳情
NTBG020N120SC1	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK	查看詳情
NTHL020N120SC1	SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3	查看詳情
NVHL020N120SC1	SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3	查看詳情
NTHL080N120SC1	SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3	查看詳情
NVBG020N120SC1	MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK	查看詳情
NVHL080N120SC1	SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3	查看詳情

1700 V EliteSiC 二極體

onsemi 的 1700 V SiC 肖特基二極體採用一項可提供比矽更卓越的開關效能和更高可靠度的技術。SiC 無逆向恢復電流，具有不受溫度影響的切換特性、優異的熱效能，因此是新一代的功率半導體。系統優點包括高效率、快速工作頻率、提升功率密度、降低 EMI，並且縮減系統尺寸和成本。

了解詳情

功能

可輕鬆並聯
高突波電流電容量
最高接面溫度：+175°C
無逆向恢復／無順向恢復
更高的切換頻率
低順向電壓 (V_F)
正溫度係數
通過 AEC-Q101 認證並可提供 PPAP 報告

應用

車用 HEV-EV DC-DC 轉換器
車用 HEV-EV 車載充電器
工業電力
PFC
太陽能
UPS
熔接

1700 V EliteSiC 二極體

製造商零件編號	描述	查看詳情
NDSH25170A	EliteSiC JBS 1700 V 25A TO247	查看詳情

EliteSiC 驅動器

onsemi 的 NCx51705 低側、單一 6A 高速驅動器設計主要用於驅動 EliteSiC MOSFET 電晶體。為盡可能達到最低的導通損耗，此驅動器能將最大容許的閘極電壓提供給 EliteSiC MOSFET 元件。可在啟動和關閉期間提供高峰值電流，藉此將切換損耗降至最低。為提高可靠度、dv/dt 耐受性及更快的關斷速度，NCx51705 可以利用其板載充電幫浦來產生使用者可選的負電壓軌。對於隔離式應用，NCx51705 亦提供可從外部取用的 5 V 電源軌，用於為數位或高速光隔離器的二次側供電。

了解詳情

特點

高峰值輸出電流及分流輸出級
延伸的正電壓額定值，最高可達 28 V
使用者可調的內建負充電幫浦 (-3.3 V 至 -8 V)
可取用的 5 V 參考／偏壓電源軌
可調式欠壓鎖定
快速去飽和功能
QFN24 封裝 4 mm x 4 mm
允許獨立的開／關調整
導通期間的高效率 EliteSiC MOSFET 運作
快速關斷和強大的 dv/dt 耐受性
最大程度降低隔離式閘極驅動應用中偏壓電源的複雜性
足夠的 VGS 振幅以匹配 EliteSiC 最佳效能
自我保護設計
小型、低寄生電感封裝

應用

高效能變頻器
高功率馬達驅動器
推拉式 PFC
工業與馬達驅動器
UPS 和太陽能逆變器
高功率 DC 充電器

EliteSiC 驅動器

製造商零件編號	描述	查看詳情
NCP51705MNTXG	IC 閘極驅動器低側 24QFN	查看詳情
NCV51705MNTWG	IC 閘極驅動器低側 24QFN	查看詳情

隔離式大電流閘極驅動器

來自 onsemi 的閘極驅動器產品組合包括 GaN、IGBT、FET、MOSFET、H 橋 MOSFET 和 EliteSiC MOSFET 反相和非反相驅動器，非常適合切換應用。

了解詳情

隔離式大電流閘極驅動器

製造商零件編號	描述	查看詳情
NCD57000DWR2G	IC 閘極驅動器半橋 16SOIC	查看詳情
NCD57001DWR2G	IC 閘極驅動器半橋 16SOIC	查看詳情
NCV57001DWR2G	IC IGBT 閘極驅動器	查看詳情
NCV57000DWR2G	IC IGBT 閘極驅動器	查看詳情

電源模組和 EliteSiC 混合模組

特點

針對卓越效能進行最佳化
比離散元件更低的熱阻
容易安裝的封裝，可適應業界標準引腳配置

零件編號	描述	查看詳情
NXH006P120MNF2PTG	EliteSiC 模組，半橋 2-PACK 1200 V，6 mohm EliteSiC MOSFET，F2 封裝	查看詳情

IGBT

onsemi 的 IGBT 可以平衡 VCE(sat)、Eoff 損耗和可控關斷 Vce 過衝，藉此提供最佳效能。還能透過正溫度係數、低飽和電壓 (VCE(sat))、非常低的切換損耗和導通損耗、快速切換，提供最大的可靠性和效能。它們非常適合高效能的電源轉換應用，經過精心設計並符合汽車、工業應用的需求。

零件編號	描述	查看詳情
FGHL75T65MQD	IGBT - 650 V 75 A FS4 中等切換速度 IGBT	查看詳情
FGY75T95SQDT	IGBT - 950 V 75 A 場截止溝槽式 IGBT	查看詳情
FGY60T120SQDN	IGBT, Ultra 場截止 -1200V 60A	查看詳情

電流隔離式閘極驅動器

來自 onsemi 的閘極驅動器產品組合包括 GaN、IGBT、FET、MOSFET、H 橋 MOSFET 和 EliteSiC MOSFET 反相和非反相驅動器，非常適合切換應用。

零件編號	描述	查看詳情
NCD57000DWR2G	IC 閘極驅動器半橋 16SOIC	查看詳情
NCD57001DWR2G	IC 閘極驅動器半橋 16SOIC	查看詳情
NCV57001DWR2G	IC IGBT 閘極驅動器	查看詳情
NCD57000DWR2G	IC IGBT 閘極驅動器	查看詳情

電流感測放大器

電流感測放大器提供關鍵資訊，可透過監測電流消耗來協助維持系統的安全和診斷功能。它們整合外部電阻，實現更高的準確度、更小的覆蓋區來支援獨立的運算放大器。

了解詳情

零件編號	描述	查看詳情
NCS2002SN1T1G	IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 6TSOP	查看詳情
NCS2002SN2T1G	IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 6TSOP	查看詳情
NCS2004SQ3T2G	IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC88A	查看詳情
NCS211RMUTAG	IC CURR SENSE 1 CIRCUIT 10UQFN	查看詳情

檢視全部

零件編號	描述	查看詳情
STR-CURRENT-SENSE-GEVB	電流感測放大器評估	查看詳情
SECO-1KW-MDK-GEVK	1KW 600V 工業馬達開發	查看詳情
NCS2200AGEVB	BOARD EVAL NCS2200A COMP UDFN6	查看詳情
NCS2220AGEVB	NCS2220A UDFN6 評估板	查看詳情

運算放大器：電壓和電流感測

CMOS 放大器提供軌對軌操作，具有更寬廣的動態範圍。不同的系統要求、從 270 kHz 到 10 MHz 的頻率範圍，為系統設計人員提供選擇放大器的靈活性。它們還提供多種節省空間的封裝，滿足現代系統設計的功率和空間限制。

了解詳情

零件編號	描述	查看詳情
NCS20166SN2T1G	IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC74A	查看詳情
NCV20062DR2G	IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC	查看詳情
NCS2333MUTBG	IC OPAMP ZERO-DRIFT 2 CIRC 8UDFN	查看詳情

檢視全部

穩壓器 (LDO)

線性穩壓器 (LDO) 針對低功率、注重空間和低雜訊的設計要求，提供最佳的解決方案。設計簡單性、少量的外部元件，使其容易整合到最終產品中。這一廣泛的產品組合具有高 PSRR、低雜訊、低靜態電流 (Iq)、低壓降、寬廣的輸入電壓範圍。作為市場領導品牌，我們提供的零件具有強大的設計、高品質的製造能力，可為業界提供最佳效能。封裝選項包括業界最小尺寸到更大的功率封裝，為汽車、工業、消費性應用提供理想的解決方案。

零件編號	描述	查看詳情
NCP164	300mA LDO 穩壓器、超低雜訊、高 PSRR 和電源良好	查看詳情
NCP715	LDO 穩壓器、50 mA、超低 Iq	查看詳情
NCP730	LDO 穩壓器、150 mA、38 V、1 uA IQ 和 PG	查看詳情

AC-DC、DC-DC 穩壓器／轉換器

onsemi 擁有完整的離線 AC-DC、DC-DC 控制器和穩壓器產品組合，還有可實現高主動模式效率、低待機模式消耗、功率因數校正的功率因數、二次側控制器。

特點

離線切換控制器；包括固定頻率返馳式和順向 PWM 控制器，以及電流模式和電壓模式控制器。
離線、切換式穩壓器，包括電流模式、電壓模式、閘控振盪器元件。
支援功率因數校正的可變 CRM、CCM、DCM 功率因數控制器。
二次側、同步整流控制器。
用於 DC-DC 電源轉換電路的電流模式、電壓模式 DC-DC 控制器。

零件編號	描述	查看詳情
NCP10670	IC OFFLINE SWITCH MULT TOP 8SOIC	查看詳情
FSL336	IC OFFLINE SWITCH MULT TOP 7DIP	查看詳情
FSL337	IC OFFLINE SWITCH MULT TOP 7DIP	查看詳情
FSL518A/H	IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7DIP	查看詳情
FSL538A/H	IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7DIP	查看詳情

EliteSiC MOSFET