Trench 9 40 V MOSFET

Nexperia 的 Trench 9 功率 MOSFET 以汽車產業為主要目標，兼具該公司的低電壓超級接面技術，以及先進的封裝能力，能提供高效能和耐用性。Nexperia 擴充汽車認可的 Power-SO8 MOSFET 產品組合，推出超低 R_DS(on) 零件，能因應許多典型汽車應用中不斷增長的更高功率密度需求。Trench 9 元件皆通過 AEC-Q101 認可，並且超越國際汽車標準的要求，在關鍵可靠度測試上最多達兩倍水準，包括溫度循環、高溫閘極偏壓、高溫逆向偏壓，以及工作壽命。

FPAK56E 是 Nexperia 汽車 LFPAK 封裝系列中最新的品項。LFPAK56E 是常用的 LFPAK56 封裝的增強版本，具有最佳化的引線框架與封裝設計，因此能將 R_DS(on) 和功率密度提升最多 30%。功率密度提升能讓 Trench 9 LFPAK56 MOSFET 用於以往只可使用 D²PAK、 和 D²PAK-7 的應用，大幅節省 PCB 空間。

Nexperia 的超級接面技術相較於競品技術，可提升抗突崩效能，並提供安全工作區 (SOA) 能力，因此可在故障情況下確保關鍵裝置不受破壞。傳統上，絕大多數供應商都不建議在單擊或重複性突崩應用中使用 TrenchMOS 技術。Trench 9 經過專門設計，可提供優異的單擊和重複性抗突崩效能，適合高要求應用和故障情況。此外，Nexperia 的 Trench 9 MOSFET 規格書含有單擊和重複性突崩額定值。