PSMNxRx 電源管理用 MOSFET

Nexperia MOSFET 解決方案具有增強的安全工作區 (SOA),適用於熱抽換、軟啟動應用

Nexperia PSMNxRx 電源管理用 MOSFET 的圖片Nexperia PSMN2R3-100SSE、PSMN1R9-80SSE 高效能 N 通道 MOSFET 專為電源管理應用提供卓越的效率與可靠性。這些 MOSFET 屬於 Nexperia 特定應用 MOSFET (ASFET),用於熱抽換與軟啟動,具備增強的安全工作區 (SOA) 效能。PSMN2R3-100SSE 提供 100 V 的最大汲極源極電壓 (VDS) 和 2.3 mΩ 的超低 RDS(ON),而 PSMN1R9-80SSE 則提供 80 V 的 VDS 和 1.9 mΩ 的 RDS(ON)。這兩款元件均採用小巧且高可靠性的 LFPAK88 (SOT1235) 封裝,可確保出色的熱效能及穩健性。這些 MOSFET 適用於基於 48 V 背板或電源軌的電信與運算系統中的熱抽換、負載開關、軟啟動、電子保險絲等應用。PSMN2R3-100SSE 和 PSMN1R9-80SSE 具有低導通損耗、高電流處理能力、強大的線性模式操作,是要求嚴格的電源管理設計的完美選擇。

特點
  • 增強型 SOA,實現卓越的線性模式操作
  • 低 RDS(ON),可降低導通損耗
  • 高汲極電流能力 (ID):255 A (PSMN2R3-100SSE)、286 A (PSMN1R9-80SSE)
  • 最大汲極源極電壓 (VDS):100 V (PSMN2R3-100SSE)、80 V (PSMN1R9-80SSE)
  • 小型 LFPAK88 (SOT1235) 封裝
  • 採用銅夾設計,具備優異的散熱效能
  • 低閘極電荷 (QG):161 nC (PSMN2R3-100SSE)、155 nC (PSMN1R9-80SSE)
  • 高功率耗散能力:341 W (PSMN2R3-100SSE)、340 W (PSMN1R9-80SSE)
  • 低閘極閾值電壓 (VGS(th)):2.6 V
  • 高可靠性和穩健性
  • 符合 +175°C 接面工作溫度
  • 低逆向恢復電荷 (QRR)
  • 適用於高密度應用
  • 符合 RoHS 指令且無鉛
應用
  • 熱抽換
  • 負載開關
  • 軟啟動
  • 電子保險絲
  • 電信系統
  • 運算系統
  • 電源管理系統
  • DC/DC 轉換器
  • 電池管理系統
  • 工業自動化
  • 消費性電子產品
  • 汽車電子產品
  • 再生能源系統
  • 馬達驅動器
  • 先進駕駛輔助系統 (ADAS)

PSMNxRx MOSFETs for Power Management

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發佈日期: 2025-08-05