NextPowerS3 高效能 MOSFET

Nexperia 的高效率 25 V、30 V、40 V MOSFET 與 SchottkyPlus 本體二極體提供低尖波和低 IDSS 漏電流

Nexperia 的 NextPowerS3 高效能 MOSFET 圖片Nexperia 的 NextPowerS3 高效能 25 V、30 V、40 V MOSFET 平台將超接面技術與銅夾 LFPAK 封裝加以結合,可提供低 RDS(on) 並展現高達 380 A 的連續電流能力。強大/真實的最大 ID 額定值、極強的 SOA、低 RDS (on) 這些參數相輔相成,毫不妥協地造就出獨特定位的高效能、高可靠性的 MOSFET。

特點
  • 獨特的 SchottkyPlus 本體二極體提供低尖波、低 IDSS 漏電流
  • 提供邏輯位準和標準位準閘極選項
  • 與主要競爭對手相比,極為強大的 SOA 能力
  • 平衡的 RDS(on) 和 QG,實現高效率 DC/DC
應用
  • 12 V 伺服器、運算 ORing、熱抽換
  • 同步整流器和快速切換控制 FET
  • 穩壓器 (VRM) 和負載點 (PoL) 模組
  • 有刷和 BLDC 馬達控制
  • USB PD VBUS 開關、負載開關、電池保護

NextPowerS3 High-Performance MOSFETs

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發佈日期: 2022-03-18