增強模式 GaN FET

Nexperia 增強模式 GaN FET 可為電源系統提供最佳的靈活性，是低功率 650 V 應用的理想選擇。由於極低的 QC 和 QOSS 值，它們可提供卓越的切換效能，從而提高 650 V AC/DC 和 DC/AC 電源轉換的效率，並大幅節省 BLDC、小型伺服馬達驅動器或 LED 驅動器的空間與物料清單。Nexperia 的產品組合包括五個額定電壓為 650 V 的增強模式 GaN FET，R_DS(ON) 值介於 80 mΩ 和 190 mΩ 之間，可選擇 DFN 5 mm x 6 mm、DFN 8 mm x 8 mm 封裝。它們能提升高電壓、低功率 (<650 V) 數據通訊／電信、消費性充電、太陽能、工業應用中的電源轉換效率。它們還可用於設計無刷 DC 馬達和小型伺服驅動器，以實現更高轉矩、更大功率的精密度。