單向/雙向高功率 ESD 二極體
MCC 採用 RDL 技術的 ESD 保護元件提高了緊湊型 CSP1006-2 封裝的密度和散熱效能
MCC 的 CSPSBHC4V8LB、CSPSBHC6V3LB、CSPHC4V8L 單向/雙向單線 ESD 保護元件設計來提供巔峰效能。它們利用創新的重佈層 (RDL) 技術,將晶片端子墊片與封裝端子墊片橋接,實現高功率、緊湊的 CSP1006-2 封裝。這些二極體提高了封裝密度、電氣效能、散熱效能。
這些 ESD 二極體的峰值脈衝電流為 1350 W 至 1600 W,VRWM 為 3.3 V 至 4.8 V,可針對靜電事件提供穩健可靠的保護。15 V 至 16.5 V 的低箝位電壓更進一步增強其效能。
這些 ESD 二極體經過嚴格測試,符合 IEC 61000-4-2 (ESD) 耐受性標準,可承受 ±30 kV 的空氣放電、±30 kV 的接觸放電。這些二極體符合 90 A/100 A (8/20 μs) 的 IEC 61000-4-5 (雷擊) 標準,確保在充滿挑戰的環境中提供可靠的保護。
從消費性裝置到關鍵電信應用,MCC 的高功率 ESD 二極體是效能無懈可擊的理想解決方案。
- RDL 技術:縮小尺寸、提高效能
- 高峰值脈衝電流 (PPK):1350 W 至 1600 W
- VRWM 選擇範圍為 3.3 V 至 4.8 V
- 超小型封裝:CSP1006-2
- 低箝位電壓:15 V 至 16.5 V
- 通過 IEC 61000-4-2 (ESD) 耐受性測試:
- 空氣放電:±30 kV
- 接觸放電:±30 kV
- 符合 IEC 61000-4-5 (雷擊) 標準:90 A/100 A (8/20 μs)
- 消費性裝置
- 智慧型手機
- 平板電腦
- 穿戴式技術
- 運算
- 筆記型電腦
- 桌上型電腦
- 伺服器
- 工業
- 自動化系統
- 控制面板
- 製造設備
- 電信
- 網路裝置
- 電信基礎設施
- 行動基地台
Uni/Bidirectional High-Power ESD Diodes
圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 電壓 - 逆向隔絕 (典型值) | 電壓 - 崩潰 (最小值) | 電壓 - 箝位 (最大值) @ Ipp | 電流 - 峰值脈衝 (10/1000µs) | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
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![]() | ![]() | CSPSBHC4V8LB-TP | TVS DIODE 4.8VWM 16VC CSP1006-2 | 4.8V (最大) | 5V | 16V | 100 A (8/20µs) | 19275 - 即時供貨 | $3.05 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | CSPSBHC6V3LB-TP | TVS DIODE 6.3VWM 16.5V CSP10062 | 6.3V (最大) | 6.5V | 16.5V | 90 A (8/20µs) | 14705 - 即時供貨 | $3.05 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | CSPHC4V8L-TP | TVS DIODE 4.8VWM 15VC CSP1006-2 | 4.8V (最大) | 5V | 15V | 90 A (8/20µs) | 7120 - 即時供貨 | $2.30 | 查看詳情 |