分離閘極技術 MOSFET

MCC 的分離閘極技術 MOSFET 適用於需要節省空間和高效率的應用

MCC 的分離閘極技術 MOSFET 圖片Micro Commercial Component 的分離閘極技術 MOSFET 提供極低的 RDS(on) 值,並能在較小的封裝中提供更高的電流密度。因此,本產品適用於需要節省空間和高效率的應用。

分離閘極的優點
  • 提升 BVDSS
  • 漂移區中較高的 N 摻雜可最小化 RDS(on)
  • 降低 QGD,減少米勒電荷耦合
  • 提升 FOM,減少開關和傳導損耗
  • 目前的 SGT 產品組合提供範圍從 30 V 至 150 V 的額定值,以及 1.5 mΩ 最低 RDS(on) 值,並採用常見封裝
特點和優點
  • 多種 LV MOSFET 產品組合
  • 低 RSP 值 (特定的導通電阻)
  • 高效率
  • 高品質
  • 交貨快

Split-Gate Technology MOSFET's

圖片製造商零件編號說明現有數量價格查看詳情
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發佈日期: 2020-05-22