SICWT40120G6M 1200 V 碳化矽肖特基二極體

MCC SICWT40120G6M SiC 肖特基二極體採用混合式 PiN 肖特基 (MPS) 技術,可提供低漏電流、強大的突波耐受能力、快速的切換效能

MCC SICWT40120G6M 1200 V 碳化矽肖特基二極體的圖片Micro Commercial Components (MCC) SICWT40120G6M 是高效能的 1200 V 碳化矽肖特基二極體,專為高功率、高效率的切換應用而設計。此元件採用堅固的 TO-247AD 封裝,針對需要優異熱處理能力、極低切換損耗,且能在極端條件下可靠運作的高要求電源系統進行最佳化。

SICWT40120G6M 採用先進的混合式 PiN 肖特基 (MPS) 技術製成,結合了肖特基二極體的快速切換特性,同時具備更佳的漏電流控制與突波耐受能力。此元件具有高達 90 A 的連續順向電流能力、330 A 的突波額定值、+25°C 時 1.65 V 的順向電壓、低至 1 µA 的漏電流、高達 +175°C 的接面溫度,使設計人員能夠提高系統效率、降低散熱需求,並提高工業、牽引、能源應用中的功率密度。

特點

  • 混合式 PiN 肖特基 (MPS) 技術,可提供低漏電流、強大的突波耐受能力、快速的切換效能
  • 零逆向恢復電流,可消除恢復損耗並提升高頻效率
  • 在 +25°C 下具備高電流能力,IF = 90 A 及 IFSM = 330 A,可支援高要求的電源轉換與馬達驅動級
  • 1200 V VRRM 額定值,適用於高電壓整流與電源架構
  • 低順向電壓 (VF = 1.65 V @ +25°C),可降低導通損耗與熱生成
  • 低漏電流 (IR ≤ 25 µA @ +25°C),提供穩定的高溫效能
  • 接面溫度範圍寬達 -55°C 至 +175°C,支援高溫系統設計
  • 正溫度係數,有助於防止熱失控
  • 環氧樹脂符合 UL 94 V-0 耐燃標準
  • 無鹵素,符合 RoHS 指令,滿足全球環境要求
應用
  • 切換式電源供應器
  • 功率因數校正 (PFC)
  • 馬達驅動與牽引系統
  • 充電樁

SICWT40120G6M 1200 V Silicon Carbide Schottky Diode

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發佈日期: 2026-04-23