IXYS Integrated Circuits Division

SiC MOSFET 和 IGBT 驅動器 9 A 峰值輸出 – IX4351NE

IXYS, a Littelfuse technology 的 IX4351NE 具有保護功能，包括 UVLO 和熱關斷偵測

IXYS 的 SiC MOSFET 和 IGBT 驅動器 9 A 峰值輸出 – IX4351NE 的圖片IXYS, a Littelfuse technology，設計了一款驅動器，專門用於 SiC MOSFET 和大功率 IGBT。分開的 9 A 源極和漏極輸出允許量身定制的導通和關斷時序，同時將切換損耗降至最低。內部負極充電調節器提供可選的負閘極驅動偏壓，以改善 dv/dt 耐受性並加快關斷速度。

特點
  • 分開的 9 A 峰值源極和漏極輸出
  • 操作電壓範圍：-10 V 至 +25 V
  • 內部負極充電幫浦調節器，提供可選的負閘極驅動偏壓
  • 使用軟關斷型漏極驅動器偵測去飽和狀態
  • TTL 和 CMOS 相容的輸入
  • 欠壓鎖定 (UVLO)
  • 熱關斷
  • 開汲極型故障輸出

SiC MOSFET and IGBT Driver 9 A Peak Output – IX4351NE

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更新日期： 2020-06-03
發佈日期： 2020-01-17

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