碳化矽 CoolSiC™ MOSFET 和二極體

Infineon 的 CoolSiC 肖特基二極體提供相對較高的導通狀態電阻和漏電流。在 SiC 材料中，肖特基二極體可以達到更高的崩潰電壓。該產品組合包括 CoolSiC肖特基二極體、CoolSiC 混合模型、CoolSiC MOSFET 模組和離散元件，以及用於驅動碳化矽元件的 EiceDRIVER™ 閘極驅動器 IC。

Infineon SiC 肖特基產品系列涵蓋 600 V 和 650 V 至 1200 V 肖特基二極體。快速的矽基開關與 CoolSiC 肖特基二極體的組合通常被稱為混合型解決方案。近年來，Infineon 已經生產了數百萬個混合型模組，並已將其安裝在各種客戶產品中，例如太陽能和 UPS。CoolSiC MOSFET 建立在最新的溝槽式概念之上以樹立一項基準，既降低了應用損耗，又提高了操作可靠度。