1,200 V IGBT7 TRENCHSTOP™ MOSFET

Infineon Technologies 的第 7 代 1,200 V TRENCHSTOP^™ IGBT 在離散式 IGBT 和二極體技術領域樹立了標竿。這種獨特的離散式產品採用四種不同的封裝類型，提供高達 140 A 的高額定電流產品組合，與前幾代產品相比，傳導參數 VCE(sat) 降低 50%，切換損耗降低多達 84%。產品固有地提供簡單的 EMI 設計，以及在嚴峻條件應用中的更高可靠性 (包括 HV-H3TRB 和宇宙射線穩健性)。這項技術有史以來第一次出現於 1,200 V 離散式 IGBT 市場。請瀏覽包括 H7、S7、T7 系列在內的完整產品陣容，瞭解其針對特定應用的最佳化效能。

S7 系列：1,200 V TRENCHSTOP IGBT7 S7 產品組合是所有需要短路能力／耐用性的工業應用的最佳選擇。這些基準效率、耐短路的離散元件提供的飽和電壓比前幾代產品至少低 10%。部分元件與非常柔軟的全額定 EC7 (發射極控制) 二極體共同封裝，可大幅降低 IGBT 飽和 VCE(sat) 和低 Q_rr。此系列提供卓越的可控性和短路耐用性，拓展了傳統 IGBT 元件的基準。

H7 系列：1,200 V IGBT 共同封裝離散元件使用 TRENCHSTOP IGBT7 H7 結合發射極控制的 EC7 快速二極體技術，提供特定、同級最佳的傳導和切換功率損耗效能，以及嚴峻條件下的穩健性，也結合獨特的高額定電流產品組合，涵蓋 40 A 至 140 A，採用 TO-247 封裝。由此產生的效能有助於滿足現代快速切換工業逆變器系統日益成長的需求。

現有 T7 系列：此 650 V 系列是第一款採用最新精細溝槽式技術設計的系列，可提供無與倫比的控制和效能，並具有飛輪二極體，可大幅降低損耗、提高效率、增加功率密度。它旨在以單個解決方案，實現從低於 5 kHz 到 40 kHz 的切換頻率靈活性。它是前幾代產品的一對一替代產品，具有更佳的效能，並針對工業馬達驅動和控制進行了最佳化。