場截止 IGBT 技術

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                    ON Semiconductor 的場截止 IGBT 具有高輸入阻抗以及高電流處理能力

Fairchild 的 650 V、30 A/40 A/60 A 場截止溝槽式 IGBT 能達到最佳效能圖片 ON Semiconductor 的場截止 (FS) IGBT 技術能讓設計人員開發高度可靠的系統，在需要低導通與切換損耗的應用中具有更高的輸入電壓，同時提供最佳效能。 IGBT 具有高電流處理能力、正溫度係數、緊密的參數分布以及寬廣的安全工作區域。提升的崩潰電壓能針對具有負環境溫度的情況提升可靠度。隨著溫度降低，IGBT 和 FRD 阻斷電壓也會降低，因此此元件針對用於寒冷氣候的 PV 太陽能逆變器特別有益。若要達到最高效率，必須嚴選 IGBT 和飛輪二極體，而 ON Semiconductor 的 IGBT 提供快速的軟恢復，能降低功率耗散並達到低啟動和關閉損耗。

ON Semiconductor的 FS 技術無需犧牲可靠性或耐用度，即可達到高效能，致力於 IGBT 效能的持續精進。本公司的第四代技術開發，能達到優異權衡特性，並達到比其他任何 FS IGNT 更強韌的動態閂鎖效應耐用度。

白皮書 - 詳細的分析和效能結果

特點
最高接面溫度：T_j = 175°C 正溫度係數可輕鬆進行並聯操作所有零件皆通過 I_LM(1) 測試低飽和電壓：在 I_C 為 30 A、40 A、60 A 時 V_CE(sat) 為 1.8 V（典型值）		高輸入阻抗快速切換緊密參數分布符合 RoHS 指令高電流處理能力
應用
焊接機和工業應用，以及功率因數校正

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