採用 PQFN 封裝的 GaN FET

EPC GaN FET 在緊湊的覆蓋區內提供卓越的效能,非常適合高密度電源轉換

EPC 採用 PQFN 封裝的 GaN FET 的圖片EPC 的 PQFN 封裝氮化鎵 (GaN) FET 在緊湊的覆蓋區內提供卓越的效能,非常適合高密度電源轉換。這些元件提供超低導通電阻、低閘極電荷、極小切換損耗,比傳統矽 MOSFET 具有更高的效率、更快的切換速度。

這些 GaN FET 的額定電壓高達 200 V,部分零件的脈衝電流能力超過 400 A,非常適合馬達驅動、機器人、高效能運算等要求嚴苛的應用。

特點
  • 高成本效益
  • 效能比 MOSFET 更高
    • 更快
    • 尺寸更小
    • 更高的電流
  • 容易使用
    • 覆蓋區相容性可最大化設計彈性
  • 優良的散熱性
    • 裸露頂部
    • 超低熱阻
應用
  • AC/DC 充電器
  • 高頻 DC/DC 轉換器
  • 馬達驅動器
  • 太陽能 MPPT
  • Class D 音訊

GaN FETs in PQFN Packages

圖片製造商零件編號說明FET 類型技術汲極至源極電壓 (Vdss)現有數量價格查看詳情
TRANS GAN 100V DIE .0018OHMEPC2302TRANS GAN 100V DIE .0018OHMN 通道GaNFET (氮化鎵)100 V85273 - 即時供貨$65.85查看詳情
TRANS GAN 200V .005OHM 7QFNEPC2304TRANS GAN 200V .005OHM 7QFNN 通道GaNFET (氮化鎵)200 V1768 - 即時供貨$69.38查看詳情
TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFNEPC2305TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFNN 通道GaNFET (氮化鎵)150 V18881 - 即時供貨$67.66查看詳情
TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFNEPC2306TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFNN 通道GaNFET (氮化鎵)100 V26118 - 即時供貨$41.79查看詳情
TRANS GAN 200V .010OHM 7QFNEPC2307TRANS GAN 200V .010OHM 7QFNN 通道GaNFET (氮化鎵)200 V5803 - 即時供貨$41.79查看詳情
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Evaluation Boards

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發佈日期: 2025-04-10