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EPC2367 100 V 增強模式 eGaN® 功率電晶體

EPC EPC2367 100V、101A 增強模式 eGaN 功率電晶體支援大電流的運作方式，並具有高效率的散熱能力

EPC EPC2367 100 V 增強模式 eGaN® 功率電晶體的圖片EPC EPC2367 100 V 增強模式 eGaN 功率電晶體將設計最佳化，為高頻切換應用實現超高的效率和功率密度。與矽晶 MOSFET 相比，EPC2367 具有超低導通電阻、零逆向回復和小巧的晶片級封裝，可實現更小、更快及更有效率的電源設計。

特點
  • 高電壓 GaN 功率電晶體：100V 增強模式 eGaN FET 支援高頻的運作方式和快速的暫態響應
  • 超低的 RDS(on)：在 VGS = 5 V 時典型值為 1.2 mΩ，將傳導損耗降至最低
  • 零逆向回復：消除逆向回復損耗，提高效率
  • 超低閘極電荷：實現快速切換並降低切換損耗
  • 小巧的晶片級封裝：覆蓋區為 3.3 mm × 3.3 mm，適用於空間受限的高密度設計
  • 出色的散熱效能：支援大電流的運作方式，並具有高效率的散熱能力
應用
  • 高頻 DC/DC 轉換器
  • 高功率密度的 DC/DC 模組
  • 馬達驅動器
  • 同步整流

EPC2367 100 V Enhancement-Mode eGaN® Power Transistor

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TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI		EPC2367TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI18894 - 即時供貨$56.57查看詳情
發佈日期： 2026-01-19

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