DGD05473 高頻閘極驅動器

Diodes 的高頻高側、低側閘極驅動器具有 -40°C 至 +125°C 的延伸溫度範圍

Diodes 的 DGD05473 高頻閘極驅動器圖片Diodes 的 DGD05473 高頻閘極驅動器能夠驅動 N 通道 MOSFET。浮動高側驅動器的額定電壓高達 50 V。元件邏輯輸入相容於標準 TTL 和 CMOS 位準 (低至 3.3 V),可輕鬆與 MCU 連接。高側、低側的 UVLO 可保護 MOSFET 免受供電中斷的影響。為保護 MOSFET,交越導通防止邏輯可避免 HO 和 LO 輸出同時開啟。快速且匹配良好的傳播延遲可允許更高的切換頻率,利用更小的相關元件實現更小、更緊湊的電源開關設計。為了最小化佔用空間,本產品包含內部靴帶式二極體。DGD05473 的工作溫度範圍擴大為 -40°C 至 +125°C,採用 U-DFN3030-10 封裝。

特點
  • 50 V 浮動高側驅動器
  • 在半橋配置中驅動兩個 N 通道 MOSFET
  • 1.5 A 流出/2.5 A 流入輸出電流能力
  • 包含內部靴帶式二極體
  • 用於高側和低側驅動器的欠壓鎖定
  • 延遲匹配最大值為 5 ns
  • 典型的傳播延遲為 20 ns
  • 邏輯輸入 (HIN、LIN、EN) 3.3 V 能力
  • 超低待機電流:小於 1 μA
  • 延伸的溫度範圍:-40°C 至 +125°C
  • 無鉛並符合 RoHS 指令
  • 無鹵素且不含銻的「環保」元件
  • 通過 AEC-Q101 認證
  • 滿足 PPAP 要求
  • 採用 U-DFN3030-10 封裝
應用
  • 馬達控制
  • 電池供電式手工具
  • DC/DC 轉換器
  • 電子菸裝置
  • Class D 功率放大器

DGD05473 High-Frequency Gate Drivers

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發佈日期: 2022-12-28