MoSys

MoSys, Inc. 將近 20 多年來，不斷開發記憶體式產品。起初是開發 1-T (電晶體) 記憶體 IP。1 T-SRAM 的存取速度接近 SRAM，但支援的密度趨近於 RLDRAM。絕大多數記憶體製造商都專注於記憶體的速度或密度特點，且認為單一尺寸就可全體適用。在 MoSys 掀起的記憶體革命下，許多系統執行的常見任務都已識別，且添加到記憶體中成為智慧型的記憶體內建功能，因此能加快執行速度。加速器引擎系列也因此誕生。

這些加速器引擎是大型的高速記憶體，且現在更可選購記憶體內建加速器功能，可依據應用是否需要更高階效能而採用，每個加速器引擎都兼具以下能力：1) 576 Mb 貨 1.152 Gb 的高容量記憶體，且 tRC 為 3.2 ns；2) 高速嵌入式記憶體內建功能 (智能)，含 BURST 和 RWM；3) MoSys 提供的高頻寬 RTL 控制器。

Blazar 系列加速器引擎提供系統建構／設計人員加速選項，其中含有其他競品都無法提供的軟硬體選項。