Name: SIZF660LDT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF660LDT-T1-GE3TR-ND
Price: 10.06277 HKD
Availability: OutOfStock

DigiKey 新產品

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SIZF660LDT-T1-GE3
DigiKey 零件編號	742-SIZF660LDT-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SIZF660LDT-T1-GE3
說明	SYMMETRIC DUAL N-CH 60-V (D-S) M
製造商的標準前置時間	55 週
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 60V 28A (Ta)、110A (Tc) 4.2W (Ta)、62.5W (Tc) 表面黏著式 PowerPAIR® 6 x 5FS
規格書	規格書

產品屬性

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列	Rds On (最大值) @ Id、Vgs 2.6mOhm @ 10A、10V
製造商 Vishay Siliconix	Vgs(th) (最大值) @ Id 2.4V @ 250µA
系列 TrenchFET®	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 85nC @ 10V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR)	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 4315pF @ 30V
零件狀態有源	功率 - 最大值 4.2W (Ta)、62.5W (Tc)
技術 MOSFET (金氧)	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
配置兩個 N 通道 (半橋)	安裝類型表面黏著式
汲極至源極電壓 (Vdss) 60V	封裝／外殼 8-WDFN 裸焊盤
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 28A (Ta)、110A (Tc)	供應商元件封裝 PowerPAIR® 6 x 5FS