SIZ342BDT-T1-GE3 Vishay Siliconix | 離散式半導體產品

圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

SIZ342BDT-T1-GE3
DigiKey 零件編號	742-SIZ342BDT-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SIZ342BDT-T1-GE3
說明	MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8PWR33
客戶參考號碼
詳細說明	MOSFET - 陣列 30V 15.4A (Ta)、32.9A (Tc) 3.7W (Ta)、16.7W (Tc) 表面黏著式 8-Power33 (3x3)
規格書	規格書

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列
製造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR)
零件狀態	有源
技術	MOSFET (金氧)
配置	雙 N 通道、共源 (半橋)
FET 特點	-
汲極至源極電壓 (Vdss)	30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	15.4A (Ta)、32.9A (Tc)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	9.65mOhm @ 10A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2.4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	12.6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	550pF @ 15V
功率 - 最大值	3.7W (Ta)、16.7W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
封裝／外殼	8-PowerWDFN
供應商元件封裝	8-Power33 (3x3)