Name: SIRA99DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA99DP-T1-GE3TR-ND
Price: 28.32 HKD
Availability: OutOfStock

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圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

SIRA99DP-T1-GE3
DigiKey 零件編號	SIRA99DP-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SIRA99DP-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SIRA99DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SIRA99DP-T1-GE3
說明	MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
製造商的標準前置時間	14 週
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 30 V 47.9A (Ta)、195A (Tc) 6.35W (Ta)、104W (Tc) 表面黏著式 PowerPAK® SO-8
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SIRA99DP-T1-GE3 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET® Gen IV
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	P 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	30 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	47.9A (Ta)、195A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	1.7mOhm @ 20A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	2.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	260 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	+16V、-20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	10955 pF @ 15 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	6.35W (Ta)、104W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PowerPAK® SO-8
封裝／外殼	PowerPAK® SO-8
基礎產品編號	SIRA99