SIHG24N65EF-GE3無存貨,但提供缺貨預定。
可用替代品:

相似


onsemi
庫存現貨: 182
單價 : $54.26000
規格書

相似


Infineon Technologies
庫存現貨: 270
單價 : $47.68000
規格書

相似


IXYS
庫存現貨: 5,042
單價 : $75.56000
規格書

相似


IXYS
庫存現貨: 0
單價 : $38.08200

相似


IXYS
庫存現貨: 0
單價 : $29.18367
規格書

相似


Rohm Semiconductor
庫存現貨: 0
單價 : $0.00000
規格書

相似


Taiwan Semiconductor Corporation
庫存現貨: 265
單價 : $88.87000
規格書
N 通道 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) 通孔式 TO-247AC
圖像僅供參考,請參閱產品規格書。

SIHG24N65EF-GE3

DigiKey 零件編號
SIHG24N65EF-GE3-ND
製造商
製造商零件編號
SIHG24N65EF-GE3
說明
MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
製造商的標準前置時間
28 週
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) 通孔式 TO-247AC
規格書
 規格書
產品屬性
篩選類似產品
顯示空屬性
類別
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
製造商
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
122 nC @ 10 V
系列
Vgs (最大值)
±30V
包裝
管裝
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2774 pF @ 100 V
零件狀態
有源
功率耗散 (最大值)
250W (Tc)
FET 類型
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
技術
安裝類型
通孔式
汲極至源極電壓 (Vdss)
650 V
供應商元件封裝
TO-247AC
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
封裝/外殼
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
10V
基礎產品編號
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
156mOhm @ 12A、10V
環境和出口規範分類
產品問答
其他資源
替代品 (7)
零件編號製造商 現有數量DigiKey 零件編號 單價 替代類型
FCH170N60onsemi182FCH170N60-ND$54.26000相似
IPW60R165CPFKSA1Infineon Technologies270IPW60R165CPFKSA1-ND$47.68000相似
IXFH22N65X2IXYS5,042238-IXFH22N65X2-ND$75.56000相似
IXFH24N60XIXYS0IXFH24N60X-ND$38.08200相似
IXKH24N60C5IXYS0IXKH24N60C5-ND$29.18367相似
現貨: 0
查看前置時間
申請庫存通知
皆以 HKD 計價
管裝
數量 單價 總價
1$60.59000$60.59
10$40.90200$409.02
100$29.72730$2,972.73
500$24.96770$12,483.85
1,000$23.43999$23,439.99
2,000$23.12297$46,245.94
製造商標準包裝
備註:若採用 DigiKey 加值服務,如產品購入數量少於標準包裝,其包裝類型可能與產品購買時不同。