SIHFR1N60ATR-GE3可購買,但非長期存貨。
可用替代品:

參數同等


Vishay Siliconix
庫存現貨: 2,716
單價 : $2.43000
規格書

參數同等


Vishay Siliconix
庫存現貨: 0
單價 : $0.77000
規格書

參數同等


Vishay Siliconix
庫存現貨: 5,457
單價 : $2.43000
規格書

參數同等


Vishay Siliconix
庫存現貨: 0
單價 : $1.63000
規格書

相似


Rohm Semiconductor
庫存現貨: 0
單價 : $0.00000
規格書

相似


Taiwan Semiconductor Corporation
庫存現貨: 3,671
單價 : $1.17000
規格書
N 通道 600 V 1.4 A (Tc) 36W (Tc) 表面黏著式 TO-252AA
圖像僅供參考,請參閱產品規格書。

SIHFR1N60ATR-GE3

DigiKey 零件編號
SIHFR1N60ATR-GE3-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商
製造商零件編號
SIHFR1N60ATR-GE3
說明
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
製造商的標準前置時間
91 週
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 600 V 1.4 A (Tc) 36W (Tc) 表面黏著式 TO-252AA
規格書
 規格書
產品屬性
篩選類似產品
顯示空屬性
類別
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
製造商
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
14 nC @ 10 V
包裝
編帶和捲軸封裝 (TR)
Vgs (最大值)
±30V
零件狀態
有源
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
229 pF @ 25 V
FET 類型
功率耗散 (最大值)
36W (Tc)
技術
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
汲極至源極電壓 (Vdss)
600 V
安裝類型
表面黏著式
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
供應商元件封裝
TO-252AA
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
10V
封裝/外殼
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
7Ohm @ 840mA、10V
基礎產品編號
環境和出口規範分類
產品問答
其他資源
替代品 (6)
零件編號製造商 現有數量DigiKey 零件編號 單價 替代類型
IRFR1N60APBFVishay Siliconix2,716IRFR1N60APBF-ND$2.43000參數同等
IRFR1N60ATRLPBFVishay Siliconix0IRFR1N60ATRLPBFTR-ND$0.77000參數同等
IRFR1N60ATRPBFVishay Siliconix5,457IRFR1N60APBFCT-ND$2.43000參數同等
SIHFR1N60A-GE3Vishay Siliconix0SIHFR1N60A-GE3-ND$1.63000參數同等
RDD020N60TLRohm Semiconductor0RDD020N60TL-ND$0.00000相似
可訂購
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皆以 HKD 計價
編帶和捲軸封裝 (TR)
數量 單價 總價
2,000$2.80275$5,605.50
4,000$2.58416$10,336.64
6,000$2.47280$14,836.80
10,000$2.34769$23,476.90
14,000$2.30202$32,228.28
製造商標準包裝