SIHB33N60E-GE3無存貨,但提供缺貨預定。
可用替代品:

相似


Infineon Technologies
庫存現貨: 3,544
單價 : $52.68000
規格書

相似


Infineon Technologies
庫存現貨: 154
單價 : $46.51000
規格書

相似


Infineon Technologies
庫存現貨: 4,360
單價 : $49.39000
規格書

相似


Infineon Technologies
庫存現貨: 1,732
單價 : $44.04000
規格書

相似


Infineon Technologies
庫存現貨: 1,364
單價 : $48.90000
規格書

相似


STMicroelectronics
庫存現貨: 495
單價 : $80.84000
規格書

相似


STMicroelectronics
庫存現貨: 1,765
單價 : $88.16000
規格書

相似


STMicroelectronics
庫存現貨: 804
單價 : $66.10000
規格書

相似


STMicroelectronics
庫存現貨: 0
單價 : $58.69000
規格書

相似


STMicroelectronics
庫存現貨: 1,236
單價 : $57.54000
規格書

相似


STMicroelectronics
庫存現貨: 2,045
單價 : $49.23000
規格書
TO-263-3
圖像僅供參考,請參閱產品規格書。
TO-263-3
TO-263-3

SIHB33N60E-GE3

DigiKey 零件編號
SIHB33N60E-GE3-ND
製造商
製造商零件編號
SIHB33N60E-GE3
說明
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
製造商的標準前置時間
20 週
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) 表面黏著式 TO-263 (D2PAK)
規格書
 規格書
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
系列
-
包裝
管裝
零件狀態
有源
FET 類型
技術
汲極至源極電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
99mOhm @ 16.5A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3508 pF @ 100 V
FET 特點
-
功率耗散 (最大值)
278W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
等級
-
資格
-
安裝類型
表面黏著式
供應商元件封裝
TO-263 (D2PAK)
封裝/外殼
基礎產品編號
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 現貨
查看前置時間
申請庫存通知
皆以 HKD 計價
管裝
數量 單價 總價
1$47.83000$47.83
10$37.86700$378.67
100$27.50720$2,750.72
500$23.09258$11,546.29
1,000$22.84380$22,843.80
製造商標準包裝
備註:若採用 DigiKey 加值服務,如產品購入數量少於標準包裝,其包裝類型可能與產品購買時不同。