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SIHB22N65E-GE3可購買，但非長期存貨。
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圖像僅供參考，請參閱產品規格書。
SIHB22N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件編號 | SIHB22N65E-GE3-ND |
製造商 | |
製造商零件編號 | SIHB22N65E-GE3 |
說明 | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK |
製造商的標準前置時間 | 24 週 |
客戶參考號碼 | |
詳細說明 | N 通道 650 V 22 A (Tc) 227W (Tc) 表面黏著式 TO-263 (D2PAK) |
規格書 | 規格書 |
EDA/CAD 模型 | SIHB22N65E-GE3 型號 |
產品屬性
篩選類似產品
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類別 | Vgs(th) (最大值) @ Id 4V @ 250µA |
製造商 | 閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 110 nC @ 10 V |
包裝 管裝 | Vgs (最大值) ±30V |
零件狀態 有源 | 輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2415 pF @ 100 V |
FET 類型 | 功率耗散 (最大值) 227W (Tc) |
技術 | 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) |
汲極至源極電壓 (Vdss) 650 V | 安裝類型 表面黏著式 |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | 供應商元件封裝 TO-263 (D2PAK) |
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 10V | 封裝／外殼 |
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 180mOhm @ 11A、10V | 基礎產品編號 |
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替代品 (12)
| 零件編號 | 製造商 | 現有數量 | DigiKey 零件編號 | 單價 | 替代類型 |
|---|---|---|---|---|---|
| FCB20N60FTM | onsemi | 1,795 | FCB20N60FTMCT-ND | $57.71000 | 直接 |
| FCB199N65S3 | onsemi | 578 | 488-FCB199N65S3CT-ND | $42.42000 | 相似 |
| IPB60R160C6ATMA1 | Infineon Technologies | 1,095 | IPB60R160C6ATMA1CT-ND | $34.86000 | 相似 |
| IPB60R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | 10,560 | IPB60R190C6ATMA1CT-ND | $32.56000 | 相似 |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4,207 | 238-IXFA22N65X2-ND | $57.88000 | 相似 |
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數量
皆以 HKD 計價
管裝
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1,000 | $17.77899 | $17,778.99 |
