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SI4936BDY-T1-GE3已停產，且不再生產。
可用替代品:
圖像僅供參考，請參閱產品規格書。
SI4936BDY-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件編號 | SI4936BDY-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SI4936BDY-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SI4936BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
製造商 | |
製造商零件編號 | SI4936BDY-T1-GE3 |
說明 | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC |
客戶參考號碼 | |
詳細說明 | MOSFET - 陣列 30V 6.9A 2.8W 表面黏著式 8-SOIC |
規格書 | 規格書 |
產品屬性
篩選類似產品
類別 | Rds On (最大值) @ Id、Vgs 35mOhm @ 5.9A、10V |
製造商 Vishay Siliconix | Vgs(th) (最大值) @ Id 3V @ 250µA |
系列 | 閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 15nC @ 10V |
包裝 編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel® | 輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 530pF @ 15V |
零件狀態 停產 | 功率 - 最大值 2.8W |
技術 MOSFET (金氧) | 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) |
配置 2 N-通道 (雙) | 安裝類型 表面黏著式 |
FET 特點 邏輯電平閘極 | 封裝／外殼 8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬) |
汲極至源極電壓 (Vdss) 30V | 供應商元件封裝 8-SOIC |
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 6.9A | 基礎產品編號 |
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替代品 (3)
| 零件編號 | 製造商 | 現有數量 | DigiKey 零件編號 | 單價 | 替代類型 |
|---|---|---|---|---|---|
| SH8K12TB1 | Rohm Semiconductor | 0 | SH8K12TB1-ND | $3.62108 | 相似 |
| SH8K4TB1 | Rohm Semiconductor | 1,703 | SH8K4TB1CT-ND | $22.20000 | 相似 |
| ZXMN3A06DN8TA | Diodes Incorporated | 1,413 | ZXMN3A06DN8CT-ND | $18.50000 | 相似 |
停產
