SI4425BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix | 離散式半導體產品

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SI4425BDY-T1-GE3
DigiKey 零件編號	SI4425BDY-T1-GE3TR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) SI4425BDY-T1-GE3CT-ND - 切帶裝 (CT) SI4425BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
製造商	Vishay Siliconix
製造商零件編號	SI4425BDY-T1-GE3
說明	MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
客戶參考號碼
詳細說明	P 通道 30 V 8.8 A (Ta) 1.5W (Ta) 表面黏著式 8-SOIC
規格書	規格書

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	停產
FET 類型	P 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	30 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	8.8 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	12mOhm @ 11.4A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	3V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	1.5W (Ta)
工作溫度	-55°C ~ 150°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	8-SOIC
封裝／外殼	8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬)
基礎產品編號	SI4425