SI4226DY-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET、MOSFET 陣列

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類別離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET FET、MOSFET 陣列	Vgs(th) (最大值) @ Id 2V @ 250µA
製造商 Vishay Siliconix	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 36nC @ 10V
系列 TrenchFET®	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1255pF @ 15V
包裝編帶和捲軸封裝 (TR)	功率 - 最大值 3.2W
零件狀態停產	工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技術 MOSFET (金氧)	安裝類型表面黏著式
配置 2 N-通道 (雙)	封裝／外殼 8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬)
汲極至源極電壓 (Vdss) 25V	供應商元件封裝 8-SOIC
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 8A	基礎產品編號 SI4226
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 19.5mOhm @ 7A、4.5V

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SI4226DY-T1-GE3