VS-ENQ030L120S Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 離散式半導體產品

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VS-ENQ030L120S
DigiKey 零件編號	VS-ENQ030L120SGI-ND
製造商	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
製造商零件編號	VS-ENQ030L120S
說明	IGBT MOD 1200V 61A EMIPAK-1B
客戶參考號碼
詳細說明	IGBT 模組 Trench 三級反相器 1200 V 61 A 216 W 底盤安裝式 EMIPAK-1B
規格書	規格書

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 IGBT IGBT 模組
製造商	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列	-
包裝	散裝
零件狀態	有源
IGBT 類型	Trench
配置	三級反相器
電壓 - 集極射極崩潰 (最大值)	1200 V
電流 - 集極 (Ic) (最大值)	61 A
功率 - 最大值	216 W
Vce(on) (最大值) @ Vge、Ic	2.52V @ 15V、30A
電流 - 集極截止 (最大值)	230 µA
輸入電容值 (Cies) @ Vce	3.34 nF @ 30 V
輸入	標準
NTC 熱敏電阻	是
工作溫度	150°C (TJ)
安裝類型	底盤安裝式
封裝／外殼	EMIPAK-1B
供應商元件封裝	EMIPAK-1B
基礎產品編號	ENQ030