Name: SCTL90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL90N65G2VTR-ND
Price: 240.05 HKD
Availability: InStock

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SCTL90N65G2V
DigiKey 零件編號	497-SCTL90N65G2VTR-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR) 497-SCTL90N65G2VCT-ND - 切帶裝 (CT) 497-SCTL90N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
製造商	STMicroelectronics
製造商零件編號	SCTL90N65G2V
說明	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
製造商的標準前置時間	45 週
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 650 V 40 A (Tc) 935W (Tc) 表面黏著式 PowerFlat™ (8x8) HV
規格書	規格書
EDA/CAD 模型	SCTL90N65G2V 型號

產品屬性

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	STMicroelectronics
系列	-
包裝	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®
零件狀態	有源
FET 類型	N 通道
技術	SiCFET (碳化矽)
汲極至源極電壓 (Vdss)	650 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	40 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	18V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	24mOhm @ 40A、18V
Vgs(th) (最大值) @ Id	5V @ 1mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	157 nC @ 18 V
Vgs (最大值)	+22V、-10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	3380 pF @ 400 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	935W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	表面黏著式
供應商元件封裝	PowerFlat™ (8x8) HV
封裝／外殼	4-PowerVDFN