| 類型  | 說明 | 全選 | 
|---|---|---|
| 類別 | ||
| 製造商  | SemiQ | |
| 系列 | ||
| 包裝 | 盒 | |
| 零件狀態 | 有源 | |
| 技術 | 碳化矽 (SiC) | |
| 配置 | 4 個 N 通道 (全橋) | |
| FET 特點 | - | |
| 汲極至源極電壓 (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
| 電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C | 201A (Tc) | |
| Rds On (最大值) @ Id、Vgs | 14mOhm @ 100A、20V | |
| Vgs(th) (最大值) @ Id | 4V @ 40mA | |
| 閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 428nC @ 20V | |
| 輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 10900pF @ 800V | |
| 功率 - 最大值 | 600W (Tc) | |
| 工作溫度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| 等級 | - | |
| 資格 | - | |
| 安裝類型 | 底盤安裝式 | |
| 封裝/外殼 | 模組 | |
| 供應商元件封裝 | - | 
| 數量 | 單價 | 總價 | 
|---|---|---|
| 1 | $1,109.92000 | $1,109.92 | 
| 10 | $972.11100 | $9,721.11 | 
 
                 
                 
                 
 
 
 
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