MOSFET - 陣列 1200V (1.2kV) 625A (Tc) 2113W (Tc) 底盤安裝式
圖像僅供參考,請參閱產品規格書。

GCMX003A120S3B1-N

DigiKey 零件編號
1560-GCMX003A120S3B1-N-ND
製造商
製造商零件編號
GCMX003A120S3B1-N
說明
1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE
製造商的標準前置時間
22 週
客戶參考號碼
詳細說明
MOSFET - 陣列 1200V (1.2kV) 625A (Tc) 2113W (Tc) 底盤安裝式
規格書
 規格書
產品屬性
篩選類似產品
顯示空屬性
類別
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
5.5mOhm @ 300A、20V
製造商
SemiQ
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 120mA
系列
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
1408nC @ 20V
包裝
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
41400pF @ 800V
零件狀態
有源
功率 - 最大值
2113W (Tc)
技術
碳化矽 (SiC)
工作溫度
-40°C ~ 175°C (TJ)
配置
兩個 N 通道 (半橋)
安裝類型
底盤安裝式
汲極至源極電壓 (Vdss)
1200V (1.2kV)
封裝/外殼
模組
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
625A (Tc)
環境和出口規範分類
產品問答
其他資源
現貨: 25
查詢額外入庫貨品
皆以 HKD 計價
數量 單價 總價
1$2,100.10000$2,100.10
15$1,890.53400$28,358.01
製造商標準包裝