RSD221N06TL可購買，但非長期存貨。
可用替代品:

建議的 MFR

RD3P200SNTL1
Rohm Semiconductor
庫存現貨: 5,615
單價 : $17.57000
規格書

相似

SQD23N06-31L_GE3
Vishay Siliconix
庫存現貨: 3,150
單價 : $17.00000
規格書

相似

STD30N6LF6AG
STMicroelectronics
庫存現貨: 3,036
單價 : $10.43000
規格書

相似

SUD23N06-31-GE3
Vishay Siliconix
庫存現貨: 3,736
單價 : $10.59000
規格書

相似

AOD4130
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
庫存現貨: 66,921
單價 : $11.00000
規格書

相似

IRLR3105TRPBF
Infineon Technologies
庫存現貨: 1,393
單價 : $7.55000
規格書

相似

STD30NF06LT4
STMicroelectronics
庫存現貨: 10,652
單價 : $13.47000
規格書

相似

STD30NF06T4
STMicroelectronics
庫存現貨: 0
單價 : $13.47000
規格書

相似

STD35NF06T4
STMicroelectronics
庫存現貨: 4,381
單價 : $16.83000
規格書
查看並比較所有替代品
2SAR572DGTL
圖像僅供參考，請參閱產品規格書。

RSD221N06TL

DigiKey 零件編號
RSD221N06TL-ND - 編帶和捲軸封裝 (TR)
製造商
Rohm Semiconductor
製造商零件編號
RSD221N06TL
說明
MOSFET N-CH 60V 22A CPT3
客戶參考號碼
詳細說明
N 通道 60 V 22 A (Tc) 850mW (Ta)、20W (Tc) 表面黏著式 CPT3
規格書
 規格書
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包裝
編帶和捲軸封裝 (TR)
零件狀態
限期訂購
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)
60 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
22 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
4V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
26mOhm @ 22A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3V @ 1mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1500 pF @ 10 V
FET 特點
-
功率耗散 (最大值)
850mW (Ta)、20W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
等級
-
資格
-
安裝類型
表面黏著式
供應商元件封裝
CPT3
封裝／外殼
TO-252-3、DPAK (2 引線 + 接片)、SC-63
基礎產品編號
RSD221
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

最後搶購
最後可購買日：31/3/2027
數量
皆以 HKD 計價
編帶和捲軸封裝 (TR)
數量 單價 總價
2,500$4.85313$12,132.83
5,000$4.53658$22,682.90
製造商標準包裝