BSM180D12P2E002
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BSM180D12P2E002
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM180D12P2E002

DigiKey 零件編號
846-BSM180D12P2E002-ND
製造商
Rohm Semiconductor
製造商零件編號
BSM180D12P2E002
說明
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
製造商的標準前置時間
22 週
客戶參考號碼
詳細說明
MOSFET - 陣列 1200V (1.2kV) 204 A (Tc) 1360W (Tc) 底盤安裝式 模組
規格書
 規格書
產品屬性
類型
說明
全選
類別
製造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包裝
散裝
零件狀態
有源
技術
碳化矽 (SiC)
配置
兩個 N 通道 (半橋)
FET 特點
-
汲極至源極電壓 (Vdss)
1200V (1.2kV)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
204 A (Tc)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
-
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 35.2mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
18000pF @ 10V
功率 - 最大值
1360W (Tc)
工作溫度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
底盤安裝式
封裝／外殼
模組
供應商元件封裝
模組
基礎產品編號
BSM180
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數量
皆以 HKD 計價
散裝
數量 單價 總價
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