PSMN7R8-120ESQ NXP USA Inc. | 單一 FET、MOSFET

PSMN7R8-120ESQ
DigiKey 零件編號	2156-PSMN7R8-120ESQ-ND
製造商	NXP USA Inc.
製造商零件編號	PSMN7R8-120ESQ
說明	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
客戶參考號碼
詳細說明	N 通道 120 V 70 A (Tc) 349W (Tc) 通孔式 I2PAK
規格書	規格書

類型	說明	全選
類別	離散式半導體產品電晶體 FET、MOSFET 單一 FET、MOSFET
製造商	NXP USA Inc.
系列	-
包裝	散裝
零件狀態	停產
FET 類型	N 通道
技術	MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss)	120 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	70 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	7.9mOhm @ 25A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4V @ 1mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	167 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	9473 pF @ 60 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	349W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TJ)
等級	-
資格	-
安裝類型	通孔式
供應商元件封裝	I2PAK
封裝／外殼	TO-262-3 長引線、I2PAK、TO-262AA
基礎產品編號	PSMN7R8

PSMN7R8-120ESQ